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熱絲CVD金剛石設(shè)備 高精度薄膜 性價比高
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導(dǎo)體）研發(fā)設(shè)計制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備，分為實驗型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。
設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。
可用于... |
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FIB雙束電鏡檢測
聚焦離子束雙束系統(tǒng)用于金屬、半導(dǎo)體、電介質(zhì)、多層膜結(jié)構(gòu)等固體樣品上制備微納結(jié)構(gòu)；高質(zhì)量定點(diǎn)TEM樣品制備；化學(xué)和晶體結(jié)構(gòu)三 |
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EBL光刻
為使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術(shù)的延伸應(yīng)用，在半導(dǎo)體工業(yè)中被廣泛使用于研究下一代超大規(guī)模集成電路、Q器件、 |
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石英管玻璃真空封管機(jī)步驟
真空封樣機(jī)-真空封管系統(tǒng)供應(yīng)，科探儀器自主研發(fā)的真空封管設(shè)備主要用于對硼硅酸鹽、石英等各種材質(zhì)的玻璃管進(jìn)行真空密封，同時，提供適應(yīng)各種試管外徑的卡套定制。真空封管設(shè)備的半自動化設(shè)計，實現(xiàn)試管在真空密封過程中可以自動旋轉(zhuǎn)。 |
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磁控濺射 代加工
磁控濺射Ti、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜
磁控濺射AlN、ITO、SiN、SiO2、TiO2等化合物 |
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低壓化學(xué)氣相沉積法 代加工
設(shè)備名稱：低壓化學(xué)氣相沉積法（LPCVD）用途：干氧SiO2，濕法SiO2，SiNx生長，更好的成膜致密性技術(shù)指標(biāo)：1、溫度：300～1100℃ |
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Decap開封開帽開蓋類型原理及應(yīng)用
Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做*局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準(zhǔn)備，方便觀察或做其他測試（如FIB,EMMI），Deca... |
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芯片漏電定位手段總結(jié)
芯片漏電是失效分析案例中最常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘... |
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失效分析的意義
X-Ray 無損偵測：檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。 |
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實驗室失效分析常用項目
應(yīng)用領(lǐng)域
Failure analysis 集成電路失效分析
Wafer level reliability晶元可靠性認(rèn)證
Device characterization 元器件特性量測
Process modeling塑性過程測試(材料特性分析)
IC Process monitoring 制成監(jiān)控 ... |
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失效分析技術(shù)服務(wù)
擅長領(lǐng)域手動探針臺Probe station，激光開封機(jī)Laser decap，光發(fā)射顯微鏡EMMI，IV自動曲線量測儀，紅外顯微鏡，半導(dǎo)體失效分析設(shè)備，集成電路測試：非破壞xing分析 |
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wafer減薄、劃片 MPW切單顆
提供6-12英寸wafer減薄服務(wù)，最小減薄厚度80m。提供6-12英寸wafer切割服務(wù)（切割道最小50m）提供MPW芯片劃片，MPW切單顆。提供wa |
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