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為使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸應用，在半導體工業(yè)中被廣泛使用于研究下一代超大規(guī)模集成電路、Q器件、納米Fin-FET器件、同心圓繞射板及高功率HEMT器件的圖形制備。
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指標名稱 |
要求參數 |
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燈絲類型 |
熱場發(fā)射 |
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電子束形狀 |
高斯 |
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加速電壓* |
最高電壓不低于120 kV |
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最小線寬* |
8nm |
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束流 |
5pA-100nA |
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最小束斑直徑* |
1.7nm |
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束斑位置穩(wěn)定度 |
30nm / 1h |
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束流穩(wěn)定度 |
Within 0.5 % / 1h |
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寫場： |
大于1mm (在100kV下) |
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電子束位置精度 |
20bit DAC |
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電子束掃描速度* |
100MHz |
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曝光尺寸：* |
X:210 mm, Y: 210 mm |
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最大樣品尺寸* |
8寸圓晶 |
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寫場拼接精度* |
±10nm （100微米寫場） |
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套刻精度* |
±10nm （100微米寫場） |
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移動臺精度* |
0.3nm |
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樣品臺 |
不少于6個，滿足8寸及以下各種尺寸樣品 |
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Beamer曝光處理軟件及服務器 |
包含 |
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曝光機恒溫外部包圍 |
包含，可控制到室溫波動的1/10 |
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曝光預對準組件 |
包含 |
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曝光圖形光學鏡檢組件 |
包含 |
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電子束膠恒溫顯影箱 |
包含 |
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UPS |
大于1小時 |
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電磁屏蔽系統 |
包含 |
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被動式減震系統 |
包含 |
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