實(shí)驗(yàn)室失效分析常用項(xiàng)目

發(fā)表于：2018-07-02  作者：ceshi  關(guān)注度：478

實(shí)驗(yàn)室失效分析常用項(xiàng)目，失效分析為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì)，使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。 失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產(chǎn)測試提供必要的補(bǔ)充，為驗(yàn)證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。失效分析主要步驟和內(nèi)容芯片開封：去除IC封膠，同時(shí)保持芯片功能的完整無損，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM 掃描電鏡/EDX成分分析：包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測量元器件尺寸等等。探針測試：以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號(hào)。鐳射切割：以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。EMMI偵測：EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯(cuò)析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測和定位非常微弱的發(fā)光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。OBIRCH應(yīng)用（鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試）：OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等，也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補(bǔ)充。

實(shí)驗(yàn)室失效分析常用項(xiàng)目，LG液晶熱點(diǎn)偵測：利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組，在顯微鏡下呈現(xiàn)出不同于其它區(qū)域的斑狀影像，找尋在實(shí)際分析中困擾設(shè)計(jì)人員的漏電區(qū)域（超過10mA之故障點(diǎn)）。
定點(diǎn)/非定點(diǎn)芯片研磨：移除植于液晶驅(qū)動(dòng)芯片 Pad上的金凸塊， 保持Pad完好無損，以利后續(xù)分析或rebonding。
X-Ray 無損偵測：檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。

2018年失效分析技術(shù)分享活動(dòng)，儀準(zhǔn)科技自2012年在北京建立以來，一直受到半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)同行們的支持與鼓勵(lì)，這6年來，有贊美，有夸獎(jiǎng)，有磕絆，也有不足；感謝大家一直以來的包容與支持，同行們之間的反饋與意見是我們進(jìn)步的較大推動(dòng)力，

我們也一直在半導(dǎo)體行業(yè)中努力吸收新鮮知識(shí)，緊跟行業(yè)潮流，完善公司設(shè)備及技術(shù)要求，盡我們的較大努力，去達(dá)到實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，

端午佳節(jié)到來之際，儀準(zhǔn)科技特此推出2018年年中的優(yōu)惠活動(dòng)，以此來回饋新老顧客對我們的支持，

失效分析常用項(xiàng)目  

應(yīng)用領(lǐng)域

Failure analysis  集成電路失效分析                  

Wafer level  reliability晶元可靠性認(rèn)證

Device characterization 元器件特性量測               

Process modeling塑性過程測試(材料特性分析)

IC Process  monitoring  制成監(jiān)控                     

Package part probing  IC封裝階段打線品質(zhì)測試

Flat panel probing 液晶面板的特性測試                

PC board probing  PC主板的電性測試