熱絲CVD金剛石設(shè)備 高精度薄膜 性價(jià)比高

發(fā)表于：2023-04-03  作者：hitsemi  關(guān)注度：188

 鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱：鵬城半導(dǎo)體）研發(fā)設(shè)計(jì)制造了熱絲CVD金剛石設(shè)備，分為實(shí)驗(yàn)型設(shè)備和生產(chǎn)型設(shè)備兩類。

設(shè)備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。

可用于生產(chǎn)制造環(huán)保領(lǐng)域污水處理用的耐*腐*蝕*金剛石導(dǎo)電電極。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。

平面工作尺寸

圓形平面工作的尺寸：φ650mm。

矩形工作尺寸的寬度600mm/長(zhǎng)度可根據(jù)鍍膜室的長(zhǎng)度確定（如：工件長(zhǎng)度1200mm）。

配置冷水樣品臺(tái)。

熱絲電源功率

可達(dá)300KW，1KW ～300KW可調(diào)（可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍）

設(shè)備安全性

-電力系統(tǒng)的檢測(cè)與保護(hù)

-設(shè)置真空檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)功能

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測(cè)和流量檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)

-設(shè)置水壓檢測(cè)與報(bào)警保護(hù)裝置

-設(shè)置水流檢測(cè)報(bào)警裝置

設(shè)備構(gòu)成

真空室構(gòu)成

雙層水冷結(jié)構(gòu)，立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開門，真空尺寸,根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。

熱絲

熱絲材料：鉭絲、或鎢絲

熱絲溫度：1800℃～ 2500℃ 可調(diào)

樣品臺(tái)

可水冷、可加偏壓、可旋轉(zhuǎn)、可升降 ，由調(diào)速電機(jī)控制，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)升降，（熱絲與襯底間距在5 ～ 100mm范圍內(nèi)可調(diào)），要求升降平穩(wěn),上下波動(dòng)不大于0.1mm。

工作氣路（CVD）

工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置：

下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

H2(5000sccm，濃度*100*%)

CH4(200sccm，濃度*100*%)

B2H6（50sccm，H2濃度99*%）

Ar(1000sccm，濃度100%)

真空獲得及測(cè)量系統(tǒng)

控制系統(tǒng)及軟件

實(shí)驗(yàn)型 熱絲CVD金剛石設(shè)備

單面熱絲CVD金剛石設(shè)備

雙面熱絲CVD金剛石設(shè)備

生產(chǎn)型熱絲CVD金剛石設(shè)備

可制備金剛石面積-寬650*1200mm

可制備金剛石φ 650mm

關(guān)于我們

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)沿與市場(chǎng)沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國(guó)產(chǎn)化難題，爭(zhēng)取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與精密制造，具體應(yīng)用域包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。

公司人才團(tuán)隊(duì)知識(shí)結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)；還有來(lái)自工業(yè)界的高裝備設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們具有20多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備先/進(jìn)的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺(tái)和檢測(cè)設(shè)備平臺(tái)，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導(dǎo)體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場(chǎng)的部分半導(dǎo)體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，激光沉積設(shè)備PLD

|化學(xué)氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設(shè)備

團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電制備設(shè)備

|真空鍍膜機(jī)用電源/真空鍍膜機(jī)控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團(tuán)隊(duì)部分業(yè)績(jī)分布
自主設(shè)計(jì)制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計(jì)制造的MBE超高真空外延生長(zhǎng)室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺(tái)、Rheed原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計(jì)量外延生長(zhǎng)的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達(dá)到8.0×10^-9Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學(xué)光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室投入使用，至仍在正常使用。

設(shè)計(jì)制造磁控濺射與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應(yīng)用于團(tuán)簇式太陽(yáng)能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設(shè)計(jì)制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應(yīng)用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備。現(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設(shè)計(jì)制造了全自動(dòng)磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng)，自行設(shè)計(jì)的真空機(jī)械手傳遞基片。應(yīng)用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國(guó)家光電實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了OLED有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F(xiàn)使用單位香港城市大學(xué)先/進(jìn)/材料實(shí)驗(yàn)室。

設(shè)計(jì)制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)LED無(wú)機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計(jì)制造了磁控濺射研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位浙江大學(xué)半導(dǎo)體所。

設(shè)計(jì)制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學(xué)。

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