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低壓化學(xué)氣相沉積法 代加工

發(fā)表于：2019-10-24  作者：gdisit  關(guān)注度：525

 

設(shè)備名稱：低壓化學(xué)氣相沉積法（LPCVD）


用途：干氧SiO2，濕法SiO2，SiNx生長(zhǎng)，更好的成膜致密性

技術(shù)指標(biāo)：
1、溫度：300～1100℃，恒溫區(qū)：350mm/±1℃
2、極限真空度:8×10-1Pa，壓力測(cè)控范圍：1Pa～1000Pa
3、適用晶片：50*4英寸、50*6英寸
4、膜厚均勻性（150nm）片內(nèi)≤2%  片間≤2%  批間≤2%

 

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