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感應(yīng)耦合等離子刻蝕 刻蝕代加工

發(fā)表于：2019-10-24  作者：gdisit  關(guān)注度：651

 

設(shè)備名稱：感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)（ICP） /英國牛津儀器

用途：刻蝕GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料
 
技術(shù)指標(biāo)：
1. ICP離子源：0-3000W；RF射頻源：0-600W
2. 刻蝕氣體：Cl2、BCl3、Ar2、SF6、O2、CHF3
3. 樣品尺寸：27*2英寸、6*4英寸、1*6英寸
3. 基底刻蝕溫度： -20℃-80℃可調(diào)
4. 刻蝕均勻性：<±3%

 案例：
             GaN深刻蝕      
                                              GaN深刻蝕：各向異性刻蝕   

 Si深刻蝕
                                                 Si深刻蝕：各項(xiàng)同性刻蝕

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