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微波PECVD：能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可達(dá)12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，樣品臺(tái)可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體。

微波PECVD產(chǎn)品特點(diǎn)：

不銹鋼或鋁制腔體
極限真空可達(dá)10-7Torr
RF淋浴頭，HCD或微波等離子源可選
高達(dá)12"(300mm)直徑的樣品臺(tái)
RF射頻偏壓樣品臺(tái)
水冷樣品臺(tái)
可加熱到800 °C樣品臺(tái)
加熱的氣體管路
加熱的液體傳送單元
抗腐蝕的渦輪分子泵組
1路載體氣體以及3路反應(yīng)氣體，帶MFC
最大可支持8路MFC，帶排放箱及氣體閥組
預(yù)真空鎖及自動(dòng)上下載腔門
氣動(dòng)控制閥
基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)
完整的安全聯(lián)鎖

微波PECVD產(chǎn)品應(yīng)用：

等離子誘導(dǎo)表面改性
等離子清洗
等離子聚合
SiO2, Si3N4, a-Si, DLC以及其它薄膜
CNT選擇性生長

微波PECVD設(shè)備型號(hào)：

NPE-4000：基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的獨(dú)立系統(tǒng)
NPE-3500：基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的緊湊型獨(dú)立系統(tǒng)
NPE-3000：基于PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的臺(tái)式系統(tǒng)
NRP-4000：RIE/PECVD雙系統(tǒng)
NSP-4000：濺射/PECVD雙系統(tǒng)

微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可達(dá)12"直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有獨(dú)一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。

微波PECVD 那諾

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