介質的等離子體增強化學氣相淀積(PECVD)設備工作原理為，在真空壓力下，加在電極板上的射頻電場，使反應室氣體發(fā)生輝光放電，在輝光發(fā)電區(qū)域產生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上，并發(fā)生化學反應生成介質膜，副產物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走。PECVD沉積技術除了用于制作器件的鈍化膜、增透膜外，它還可以用于制作光電器件擴散工藝的阻擋層，以形成所需的PN結。 等離子體增強化學汽相淀積(PECVD)技術是近幾年來極受重視的制備介質膜的先進工藝技術。它允許襯底保持在較低溫度(一般在300～450℃)下生長介質薄膜。與熱反應相比，它能增強淀積速率獲得均勻組分和特性的介質膜。 在許多應用中，需要在非常低的襯底溫度下淀積薄膜。在鋁上淀積SiO2和在GaAs（砷化鎵）上淀積Si3N4保護層是兩個常見的實例。為了適應較低的襯底溫度，對于氣體和吸附的分子應當采用另一種能源。雖然光學增強淀積在實驗上已被證實，哪怕是看到在生產上已有限的應用，但用于驅動CVD反應的主要非熱能源是RF等離子體。等離子體增強化學氣相淀積 (PECVD)系統(tǒng)利用離子轟擊表面，帶來的附加好處是對次生物質(adspecies)提供能量， 使得它們在沒有高襯底溫度條件下進一步沿表面擴散。因此，該工藝在填充小幾何結構方面非常好。PECVD主要是用于淀積絕緣層的，只需要考慮RF放電。
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