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    等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng) 科睿設(shè)備

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    中國-上海市

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    所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng) 科睿設(shè)備 設(shè)備商城

    PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
    我司按照客戶不同的應(yīng)用需求，提供高質(zhì)量的PECVD滿足不同的研究生產(chǎn)需求。
    我司提供的PECVD系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學薄膜等。最大沉積尺寸為12英寸。
    通常選用射頻淋浴源(RF)或帶有不規(guī)則氣體分布的空心陰極射頻等離子體源作為反應(yīng)源產(chǎn)生等粒子體。
    部分PECVD可以升級到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)(帶ICP源)。

     


    系統(tǒng)參數(shù)：
    腔體極限真空度:10-7 torr；
    等粒子源: 射頻淋浴源（RF）、空心陰極高密度等離子體源（HCD）、感應(yīng)耦合等離子體源(ICP)或微波等離子體源, VHF（甚高頻）電源
    襯體直徑:最大12” (300 mm)直徑
    帶RF偏壓的襯底托；
    加熱溫度:最高800°C；
    最高可達8路MFC和多樣化的氣體選擇；
    均勻性：≤±3%；
    預(yù)抽真空室和自動晶片裝卸門；
    全自動控制；


    應(yīng)用領(lǐng)域：
    等離子誘導(dǎo)表面改性；
    等離子清洗；
    等離子聚合；
    SiO2, Si3N4, DLC及其它薄膜；
    碳納米管(CNT)的選擇性生長。

     

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