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    等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD） 沈陽金研

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    庫       存：

    1000

    產(chǎn)       地：

    中國-遼寧省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌：

    型號(hào)：

    所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-PECVD

    等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD） 沈陽金研

    1、 設(shè)備用途：本設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)在化學(xué)氣相沉積工藝，在光學(xué)玻璃等沉底材料上沉積半導(dǎo)體薄膜材料，制備非晶硅和微晶硅半導(dǎo)體薄膜器件，可用于氧化硅、氮化硅、碳化硅及類金剛石碳的沉積。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

    2.技術(shù)數(shù)據(jù)：
    樣品最大尺寸 Dn150mm 樣片加熱臺(tái)加熱溫度 室溫-800℃
    極限真空度（分子泵系統(tǒng)） 6.7×10-5Pa（冷態(tài)） 壓升率 ≤0.33Pa/H
    PECVD鍍膜電源功率 500W-1000W PECVD鍍膜室氣路 三路
    引出束斑直徑 Φ100mm 平均束流強(qiáng)度 10mA
    單電荷離子能量 20~100Kev    
    2.1PECVD鍍膜電源射頻電源
    2.2離子注入源金屬離子注入源：離子種類：金屬和導(dǎo)電材料、碳等；
    2.3操作方式采用遠(yuǎn)控進(jìn)行注入工藝；
    2.4防護(hù)離子注入室側(cè)面設(shè)有鉛屏蔽及不銹鋼裝飾層；采用鉛玻璃觀察窗；
    2.5真空室材質(zhì)雙層水冷，不銹鋼

    3.技術(shù)規(guī)格：JPEC/n-xxx N=1/2/3 真空室數(shù)量 xxx 沉積室內(nèi)徑

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