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單室薄膜太陽電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）
單室薄膜太陽電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD） 設(shè)備商城
該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。
設(shè)備概述：
1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動前開門；
2.真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，
表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口，并帶擋板，
真空尺寸為350mm×350×280mm；
3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；
系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達(dá)到
（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)； 停泵關(guān)機(jī)12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子
泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；
4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；
5.樣品加熱最高加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫；
6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)，并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示；
7. 沉積工作真空：13-1300Pa；
8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；
9.射頻電源：頻率 13.56MHz，最大功率500W，全自動匹配；
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計(jì)使用7個質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。
11. 系統(tǒng)設(shè)有硅烷尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。
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