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    包郵 關(guān)注:573

    LPCVD在硅片表面沉積多晶硅、氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃等工藝

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-LPCVD

    產(chǎn)品品牌

    金立盾

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    中國-山東省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
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    品牌：金立盾

    型號：

    所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-LPCVD

    LPCVD

     

    lpcvd.jpg


    ●  用  途：

    -----------------------------------------------------------------------------------------------

    LPCVD主要用于在硅片表面沉積多晶硅、氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃等工藝

     

    ●  特  點(diǎn)：

    -----------------------------------------------------------------------------------------------

    較好的熱均勻性好，產(chǎn)量大
    進(jìn)口壓控系統(tǒng)、進(jìn)口干泵、進(jìn)口流量計(jì)及進(jìn)口氣路元器件
    高可靠性和工藝的重復(fù)性，安裝便捷，維修方便可靠
    工控機(jī)全自動控制，軟件界面有好直觀，安全互鎖、歷史記錄等功能強(qiáng)大
    系統(tǒng)具有超溫報(bào)警、斷電斷偶保護(hù)、氣流量超差報(bào)警、計(jì)算機(jī)停機(jī)保護(hù)等多種安全報(bào)警保護(hù)功能
    工藝成熟穩(wěn)定，重復(fù)性好

    可配備廢氣處理系統(tǒng)

     

    ●  技術(shù)指標(biāo)：

    ---------------------------------------------------------------------------------------------

    硅片尺寸

    2--6英寸

    工作溫度范圍

    300--1100℃

    恒溫區(qū)長度

    600mm

    恒溫區(qū)溫度均勻性

    ±1℃（常壓閉管）

    單點(diǎn)溫度穩(wěn)定性

    ±1℃/12h

    最大可控升溫速度  

    15℃/min

    最大降溫速度(1100～850℃ )

    5℃/min

    控制方式

    工控機(jī)

    系統(tǒng)極限真空

    優(yōu)于1Pa

    真空壓升值（穩(wěn)態(tài)）

    <0.5pa/min

    工作壓力范圍

    20～133Pa閉環(huán)控制

    氣體流量設(shè)定精度

    ±1％F.S

    氣路系統(tǒng)氣密性

    1×10-7pa.m3/s

     

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