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LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子運(yùn)動(dòng)緩慢和擴(kuò)散系數(shù)大，故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難溶金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。

產(chǎn)品特點(diǎn)：
◆主機(jī)為水平1-4管爐系統(tǒng)構(gòu)架，能獨(dú)立完成不同的工藝或相同工藝

◆工業(yè)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，對(duì)爐溫、進(jìn)退舟、氣體流量、閥門等動(dòng)作進(jìn)行全自動(dòng)控制
◆采用懸臂式或軟著陸式，操作方便、無摩擦污染等
◆關(guān)鍵部件采用進(jìn)口器件，確保設(shè)備的高可靠性
◆工藝管路采用進(jìn)口閥門管件組成-氣密性好、耐腐蝕、無污染（管路均采用EP級(jí)電拋光管），流量采用進(jìn)口質(zhì)量流量計(jì)控制（MFC）
◆工作壓力閉環(huán)自動(dòng)控制，提高工藝穩(wěn)定性和可靠性
◆控溫精度高，溫區(qū)控溫穩(wěn)定性好
◆具有斷電報(bào)警、超溫報(bào)警、極限超溫報(bào)警等多種安全保護(hù)功能
◆高質(zhì)量的加熱爐體，確保恒溫區(qū)的高穩(wěn)定性及長壽命

LPCVD主要技術(shù)指標(biāo)
◆工作溫度：300～value="1000" hasspace="False" negative="False" numbertype="1" tcsc="0" style="padding: 0px; margin: 0px;">1000℃
◆適應(yīng)硅片尺寸：2～6英寸
◆裝片數(shù)量：100～200片/管
◆工藝管數(shù)量：1～4管（可選擇）
◆恒溫區(qū)長度： 100value="760" hasspace="False" negative="False" numbertype="1" tcsc="0" style="padding: 0px; margin: 0px;">0mm±value="1" hasspace="False" negative="False" numbertype="1" tcsc="0" style="padding: 0px; margin: 0px;">value="1" hasspace="False" negative="False" numbertype="1" tcsc="0" style="padding: 0px; margin: 0px;">1℃（熱壁式，可形成溫度梯度）
◆極限真空度： 0.14 Pa（約10mtorr）
◆工作真空度： 10 ～ 100Pa可調(diào)
◆淀積膜均勻性：片內(nèi)≤±3%
◆控制系統(tǒng)：整機(jī)控制系統(tǒng)采用工業(yè)控制計(jì)算機(jī)（WINDOWS 系統(tǒng)界面，操作方便簡潔）
◆氣源系統(tǒng)：進(jìn)口閥管件、自動(dòng)軌道焊接

LPCVD

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