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化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)是半導(dǎo)體集成電路制造的重要工序之一,主要用于Si3N4、SiO2、Poly-Si、PSG、BPSG、非晶硅薄膜的生長(zhǎng)。它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化TEOS)熱能激活發(fā)生化學(xué)應(yīng)用而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學(xué)氣相沉積是在低壓下進(jìn)行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長(zhǎng)的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放故裝片量大,適合于工業(yè)化生產(chǎn)。
產(chǎn)品特點(diǎn):
1. 用工業(yè)計(jì)算機(jī)對(duì)工藝時(shí)間、溫度、氣體流量、閥門動(dòng)作、反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。
2. 采用進(jìn)口壓力控制系統(tǒng),閉環(huán)控制,穩(wěn)定性高。
3. 采用進(jìn)口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門,確保氣路氣密性。
4.工藝管、真空系統(tǒng)密封可靠,使用安全
5.反應(yīng)氣體分子送氣和族射送氣,避免氣相反應(yīng)產(chǎn)生
6. 具有完善的報(bào)警功能及安全互鎖裝置。
7. 具有良好的人機(jī)界面,靈活的工藝性能。
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