LPCVD產(chǎn)品應用：用于4/8英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅（或LTO）、SIPOS薄膜生長工藝及其摻雜（如PSG或BPSG等）
 產(chǎn)品名稱： LPCVD系列 |
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| 應用領(lǐng)域：半導體 |
| 關(guān) 鍵 字：LPCVD |
| 產(chǎn)品咨詢電話：4008-110044 |
| 產(chǎn)品詳細描述： |
LPCVD產(chǎn)品應用：用于4/8英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅（或LTO）、SIPOS薄膜生長工藝及其摻雜（如PSG或BPSG等）
LPCVD產(chǎn)品特點：
◆工業(yè)計算機控制系統(tǒng)，對爐溫、進退舟、氣體流量、閘門等動作進行自動控制
◆采用懸臂送片器，操作方便、無摩擦污染等
◆關(guān)鍵部件均采用進口，確保設備的高可靠性
◆工藝管路采用進口閥門管件組成-氣密性好、耐腐蝕、無污染（管路均采用EP級電拋光管），流量控制采用進口質(zhì)量流量計（MFC）
◆工作壓力閉環(huán)自動控制，提高工藝穩(wěn)定性和可靠性
◆控溫精度高，溫區(qū)控溫穩(wěn)定性好
◆具有斷電報警、超溫報警、極限超溫報警等多種安全保護功能
◆高質(zhì)量的加熱爐體，確保恒溫區(qū)的高穩(wěn)定性及長壽命
LPCVD主要技術(shù)指標：
◆工作溫度：300～1000℃
◆適應硅片尺寸：2～6英寸
◆裝片數(shù)量：30～100片/管
◆工藝管數(shù)量：1～3管（可選擇）
◆恒溫區(qū)長度： 800mm±1℃（熱壁式，可形成溫度梯度）
◆極限真空度： 8.0× 10
-1 Pa（約6.0× 10
-3Torr）
◆工作真空度： 10 ～ 1000Pa可調(diào)
◆淀積膜均勻性：片內(nèi)≤±1%
◆控制系統(tǒng)：整機控制系統(tǒng)采用工業(yè)控制計算機（WINDOWS 系統(tǒng)界面，操作方便簡潔）
◆氣源系統(tǒng)：進口閥管件、自動軌道焊接
歡迎索取相應詳盡的技術(shù)資料及共研相應項目的解決方案。
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