LPCVD產(chǎn)品應(yīng)用:用于4/8英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅(或LTO)、SIPOS薄膜生長工藝及其摻雜(如PSG或BPSG等)
產(chǎn)品名稱: LPCVD系列 |
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應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體 |
關(guān) 鍵 字:LPCVD |
產(chǎn)品咨詢電話:4008-110044 |
產(chǎn)品詳細(xì)描述: |
LPCVD產(chǎn)品應(yīng)用:用于4/8英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅(或LTO)、SIPOS薄膜生長工藝及其摻雜(如PSG或BPSG等)
LPCVD產(chǎn)品特點(diǎn):
◆工業(yè)計算機(jī)控制系統(tǒng),對爐溫、進(jìn)退舟、氣體流量、閘門等動作進(jìn)行自動控制
◆采用懸臂送片器,操作方便、無摩擦污染等
◆關(guān)鍵部件均采用進(jìn)口,確保設(shè)備的高可靠性
◆工藝管路采用進(jìn)口閥門管件組成-氣密性好、耐腐蝕、無污染(管路均采用EP級電拋光管),流量控制采用進(jìn)口質(zhì)量流量計(MFC)
◆工作壓力閉環(huán)自動控制,提高工藝穩(wěn)定性和可靠性
◆控溫精度高,溫區(qū)控溫穩(wěn)定性好
◆具有斷電報警、超溫報警、極限超溫報警等多種安全保護(hù)功能
◆高質(zhì)量的加熱爐體,確保恒溫區(qū)的高穩(wěn)定性及長壽命
LPCVD主要技術(shù)指標(biāo):
◆工作溫度:300~1000℃
◆適應(yīng)硅片尺寸:2~6英寸
◆裝片數(shù)量:30~100片/管
◆工藝管數(shù)量:1~3管(可選擇)
◆恒溫區(qū)長度: 800mm±1℃(熱壁式,可形成溫度梯度)
◆極限真空度: 8.0× 10
-1 Pa(約6.0× 10
-3Torr)
◆工作真空度: 10 ~ 1000Pa可調(diào)
◆淀積膜均勻性:片內(nèi)≤±1%
◆控制系統(tǒng):整機(jī)控制系統(tǒng)采用工業(yè)控制計算機(jī)(WINDOWS 系統(tǒng)界面,操作方便簡潔)
◆氣源系統(tǒng):進(jìn)口閥管件、自動軌道焊接
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青島精誠華旗微電子設(shè)備有限公司(青島華旗科技有限公司,建于1993年),為專業(yè)半導(dǎo)體工藝設(shè)備及先進(jìn)材料專用設(shè)備研發(fā)制造廠家。致力于為半導(dǎo)體集成IC電路分立器件、MEMS、太陽能電池、半導(dǎo)體照明LED及磁性材料廠家提供先進(jìn)的專用設(shè)備,工藝涵蓋化合物半導(dǎo)體晶體生長(及提純、合成等)、外延、薄膜淀積(氮化硅、氧化硅、多晶硅等)、氧化擴(kuò)散(包括退火合金含工藝及快速退火工藝等)、真空燒結(jié)等工藝。半導(dǎo)體工藝設(shè)備覆蓋三代半導(dǎo)體材料--硅、砷化鎵、氮化鎵等,高性能磁性材料真空設(shè)備(釤鈷、釹鐵硼等)。同時承擔(dān)了部分國家863項目(如半導(dǎo)體白光照明GaN生長的HVPE設(shè)備等)及相關(guān)的國家重點(diǎn)項目等。
青島精誠華旗(“華旗科技”)擁有十幾年的專業(yè)研發(fā)制造經(jīng)驗(yàn),產(chǎn)品服務(wù)廣泛應(yīng)用于行業(yè)內(nèi)的大專院??蒲性核?、半導(dǎo)體制造、高性能磁性材料制造的企業(yè)工廠等。
青島精誠華旗(“華旗科技”)擁有精良的科研、設(shè)計、制造、服務(wù)團(tuán)隊,為中國電子專用設(shè)備協(xié)會、中國磁性材料與器件協(xié)會等多家協(xié)會會員單位,承接并出色完成了一系列國家重點(diǎn)項目的專用設(shè)備的設(shè)計制造。
2006年通過GB/T19001-2008(ISO9001:2008)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。