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本機(jī)是專為生產(chǎn)中、大規(guī)模集成電路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而設(shè)計(jì)制造的。它可以將兩塊掩模上的各種圖案經(jīng)紫外光束的曝光，從上下兩面分別或同時(shí)轉(zhuǎn)印至硅片或其它基片的正反面上，再經(jīng)其它工序的處理，從而獲得完整的微電子器件。
本機(jī)為適應(yīng)各電子器件廠對(duì)JKG-2A型光刻機(jī)的使用習(xí)慣，故保留了JKG-2A型光刻機(jī)部分操作程序，尤其是為了提高光刻的質(zhì)量，本機(jī)的結(jié)構(gòu)、精度以及性能等方面作了大幅度的改進(jìn)。為減少使用者的疲勞，顯微鏡采用雙目觀察和平視場(chǎng)物鏡，成像清晰，景深較長(zhǎng)。由于本機(jī)具有上述種種特點(diǎn)，是成批生產(chǎn)微電子器件較為適合的光刻設(shè)備。
| 1、適用的掩模尺寸： | 100*100*2~3mm或75*75*2~3mm |
| 2、適用的基片幅面尺寸： | ф50或ф75mm |
| 3、曝光分辨率： | 3~4чm |
| 4、掩模與硅片之間的相對(duì)位移范圍： | X、Y各≥±2.5mm； θ（旋轉(zhuǎn)）≥±5° |
| 5、工作臺(tái)綜合移動(dòng)范圍： | X±37.5mm、Y±20mm |
| 6、曝光系統(tǒng)： | GCQ200W超高壓球形汞燈，曝光波長(zhǎng)：300~436nm |
| 7、曝光系統(tǒng)能量不低于： | 波長(zhǎng)407nm； 7mW/cm2 |
| 8、曝光系統(tǒng)的照明不均勻性在ф75mm范圍內(nèi) | ±5% |
| 9、顯微鏡的照明波長(zhǎng) | ≈545nm |
| 10、曝光時(shí)間控制范圍： | 0.01秒~99.99分 |
| 11、雙目顯微鏡的調(diào)焦范圍： | 13mm |
| 12、雙目顯微鏡的放大倍率： | a.成對(duì)目鏡，共兩種：10*、16*； b.平視場(chǎng)物鏡，共兩種：6*、9*； c.總合成放大倍率：60*~144* |
| 13、真空接觸壓力： | ≥0.7kgf |
| 14、供電電源： | a.頻率：50HZ（Z頻）；b.額定輸入電壓：190V~230V；c.功率消耗：≤300VA |
| 15、外形尺寸： | 800*1440*650mm |
| 16、重量： | ≈80kg |
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