快速熱處理設備（RTP）可用于砷化鎵、硅以及其他半導體材料，離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP系列快速合金設備具有快速升降溫、慢速升降溫、和長工作時間穩(wěn)定等特點。也可用于各種半導體材料的CVD工藝的熱處理。
主要技術指標
l 整機尺寸：550×650×650mm（長×寬×高）
l 爐體尺寸：327×249×123mm（長×寬×高）
l 工作室采用進口GE石英，外徑尺寸：290×230×24mm（長×寬×高）；表面進行磨砂處理
l 不銹鋼反應室上下反射面聚焦設計，內表面采用鍍金處理，減小熱損失，極大提高了反射效率
l 水冷卻，確保燈箱散熱與快速降溫
l 風扇冷卻保證加熱燈的冷卻
l 最大溫度范圍150℃—1000℃，K型熱電偶
l 升溫速率：0.01—100℃/s可預設定
l 氣體：兩路美國進口浮子流量計控制，流量：0—5L/min
l 采用歐陸2604高精度溫控儀控制溫度
l 可編程多條溫度曲線
l 雙閉環(huán)控制溫度，穩(wěn)態(tài)溫度穩(wěn)定性±1℃
l 光源：1200W×21只鹵鎢燈
l 電源：AC380V；63A三相
l 有效加熱區(qū)：180×180mm
l 石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板
l 提供備件：鹵素燈5只，門密封圈2個
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