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對于工業(yè)界和學術界所有關注速度和高分辨的電子束曝光應用，我們推薦您選擇VOYAGERTM這款專業(yè)電子束光刻系統(tǒng)。
Raith非常重視這款具有吸引力的在使用壽命期間具有高性價比、新開發(fā)的、創(chuàng)新的eWRITE體系結(jié)構。
系統(tǒng)的硬件和軟件被一致設計為自動曝光操作，先進的高性能圖形發(fā)生器和電子光學系統(tǒng)優(yōu)化設計并協(xié)同一致。
系統(tǒng)可實現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
00001. 從最初設計到樣品制備完成，實現(xiàn)高速樣品加工，提高產(chǎn)量
00002. 智能設計：設備占地面積小，且集成環(huán)境屏蔽罩
00003. 創(chuàng)新的、未來安全型系統(tǒng)架構
00004. 專業(yè)的電子束曝光系統(tǒng)，可實現(xiàn)每小時1cm2的高速曝光，高性價比
Raith新推出的eWrite技術結(jié)合了專業(yè)電子束光刻的光學系統(tǒng)和創(chuàng)新的圖形發(fā)生器設計，該技術適用于研發(fā)及批量生產(chǎn)的所有工作。
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HSQ膠上制作亞7nm線條
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SU8膠上制作 1x1 cm² 菲涅爾透鏡，曝光時間為53分鐘，圖為菲涅爾透鏡中心區(qū)域
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PMMA雙層膠上制作150nm T型柵結(jié)構
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ZEP520膠上制作 1x1 cm²光柵結(jié)構，曝光時間小于2小時
· 高速度模式（40nA束電流下曝光160um大結(jié)構）和高分辨模式（0.4nA束電流下曝光10nm細小結(jié)構）自動切換
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ZEP520膠上制作光子晶體波導結(jié)構
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主要應用: · 高速直寫 · 衍射光學元件 · 防偽元件 · 批量加工化合物半導體器件
樣品臺: · 6“ 移動范圍 · Z方向移動范圍大 |
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電子槍技術: · eWrite · 電子 · 50 kV
獨特直寫模式: · traxx 長線條無寫場拼接曝光模式 · periodixx周期結(jié)構無寫場拼接曝光模式 |
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