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Raith 150 Two作為高分辨電子束曝光系統(tǒng)，自推出以來(lái)全球銷(xiāo)量不容忽視。該系統(tǒng)被廣泛地用于研發(fā)和納米技術(shù)中心，已證明了系統(tǒng)的24/7使用的穩(wěn)定性。
Raith 150 Two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。
環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
超高分辨曝光及成像
00001. 小于8nm曝光
00002. 低電壓曝光及成像
00003. 系統(tǒng)自動(dòng)化程度高
00004. 最大可處理8"樣片
00005. 隔墻安裝 / 熱穩(wěn)定性
研發(fā)及小批量生產(chǎn)
軟硬件的高自動(dòng)化程度保障了小批量生產(chǎn)中進(jìn)行簡(jiǎn)單且可重復(fù)性的曝光工作。
Raith 150 Two 高分辨的電子光學(xué)柱結(jié)合多種探測(cè)器可實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記識(shí)別和過(guò)程控制中前所未有的靈活性。
Raith 150 Two 應(yīng)用
·  75nmT型柵高電子遷移率晶體管器件
·  HSQ膠上制作亞4.5nm線條
·  采用traxx長(zhǎng)線條無(wú)寫(xiě)場(chǎng)拼接曝光模式制作延遲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
·  5um厚膠上制作三維菲涅爾透鏡陣列結(jié)構(gòu)
·  PMMA膠上制作精細(xì)的11nm線條
·  PMMA膠上制作60nm周期光柵結(jié)構(gòu)
RAITH150 Two 產(chǎn)品詳情
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主要應(yīng)用:
· 納米級(jí)光刻
· 高分辨成像
· 低電壓電子束光刻
樣品臺(tái):
· 完整的6“ 移動(dòng)范圍
· Z軸移動(dòng)范圍大
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電子槍技術(shù):
· Gemini
· 電子
· 30 kV
· Inlense二次電子探測(cè)器
· 能量選擇背散射二次電子探測(cè)器（選配）
獨(dú)特直寫(xiě)模式:
· traxx長(zhǎng)線條無(wú)寫(xiě)場(chǎng)拼接曝光模式
· periodixx周期結(jié)構(gòu)無(wú)寫(xiě)場(chǎng)拼接曝光模式
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