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主要特點:
1. 高去除率 : 參考值:SiC 15um~20um/min, Si Wafer 40~50um/min (具體視砂輪的粒徑、材質及工藝而定) | ||
2.行業(yè)領先的高精度減薄進度控制: min 0.1um/秒,特別適用于超薄易碎片減薄。 | ||
3.日本進口變頻器,日本進口PLC觸摸屏,可實現(xiàn)多樣化自主操作工藝 | ||
4. HMI人機互動,數(shù)據(jù)界面直讀系統(tǒng) | ||
5. 加工精度行業(yè)內領先 :晶片加工均勻性≤3um, 目標厚度誤差:≤±2um,最小加工厚度:≥50um | ||
6.日本原裝高轉速伺服電機,確保設備高精度、高穩(wěn)定性運行。 | ||
7. 工件固定方式可選配置,滿足不同產能需求: 多孔真空吸附適用于研發(fā),單片加工;陶瓷盤貼蠟固定,適用于產能效益,設備兼容性高,2"~6"兼容。 | ||
8. 設備性能穩(wěn)定可靠,損耗率低。 | ||
9. 晶片厚度自動測厚系統(tǒng)可選配,滿足客戶自主多樣化精度需求 。 | ||
10. 緩慢啟動﹑緩慢停止裝置。 | ||
11. 完善的售后服務,12小時內電話或郵件回復問題,48小時內工程師到達客戶現(xiàn)場。 | ||
12. 質保期間3月1次工程師例行拜訪,實時解決客戶的需求和突發(fā)問題。 | ||
13. 設備適用于多種材料加工,高硬性SiC材料、藍寶石、軟性材料Si、InP、Ge、GaAs、GaSb等等。 | ||
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