Model GNX200B grinder is a fully automatic continuous downfeed grinding machine. Wafers are handled through the machine by a robot, and load/unload arms. Two different stations are used for wafer cleaning after the final grind station. Chuck speed, grinding wheel, and grind spindle downfeed rate speeds can be used to manipulate grinder throughput, surface finish, and wheel life. A two-point in-process gauge measuring system controls wafer thickness under grind spindles 1 and 2. A three-point grind spindle angle adjustment mechanism is utilized for easily maintaining wafer profile (ttv); with the option a motorized adjustment. The main motors are maintenance free AC servomotors. I/O data, grinding conditions, error messages are clearly visible on the GUI touch screen and downloadable through the computer. All computer logs are automatically saved for 30 days. SECS/GEM communication software is also available. In-line coin-stack, polish, or etch system may be directly connected to the GNX200B.
設備特點：
1.研削加工技術：日本機械學會授予岡本標準傳送方式及向下研磨方法技術獎。
2.機械精度的調整方法：通過主軸進行調整（獨有專利），因為可進行原點定位，所以精度調整相當容易；可2處調節(jié)。
3.標準驅動方式：齒軸+定位銷進行定位，長年使用也不會發(fā)生位移。
4. 標準潤滑方式：潤滑油及防護罩，防止進入異物造成磨損。
5. 設備剛性：高剛性，不會因老化造成精度變化，部件由岡本自產鑄金一體化生產。
設備指標：
1. 晶圓尺寸： 4”、5”、6”、8” 晶圓厚度： 1000μm
2. 研磨方法 向下進給式研磨 在線測量厚度控制
3. 操作方法 全自動、半自動、手動
4. 研磨軸單元 軸的數量 2個（粗磨和精磨）軸的轉速： 0-3600 RPM 軸承： 氣懸浮軸承 AB 150R（Carbon graphite） 軸承冷卻方式： 氣冷（水冷可選） 軸承驅動電機： 2.2KW，4P 軸承行程： 150mm 軸承快速進給： 200mm/min 軸承進給速率： 1999μm/min 軸的進給電機：200W，交流伺服電機 可裝研磨輪：250mm dia 負載顯示：監(jiān)控操作面板 研磨輪修整：半自動 主軸角度調整：電動主軸角度調整可作為選擇項
5. 步進轉位工作盤 軸承：靜壓軸承（油膜） 驅動電機： 0.4KW，交流伺服電機
6. 工件主軸 軸承 機械式軸承（可選空壓軸承） 驅動電機： 0.75KW，交流伺服電機
7. 真空吸附臺 數量： 3個 尺寸： 4-8寸兼容 材質：多孔陶瓷 轉速：300rpm 修磨速度設定： 0-300rpm 工作臺清洗方法： 去離子水和陶瓷環(huán)
8. 晶圓清洗方法 去離子水及毛刷清洗 甩干及空氣吹干
9. 精度調整方法 通過主軸調整
10. 自動測定設備 晶圓厚度測量系統： 在線式雙探針
晶圓厚度顯示范圍： 999um
晶圓厚度分辨率： 0.1um
11. 晶圓傳輸系統 片盒數量： 2個
晶圓搬送系統： 1個機器人作為上片手臂及下片手臂
尋址： 機械臂返回晶圓到位置可編程
12. 操作面板 主控制面板： 17寸，顯示研削條件，操作輸入；顯示系統功能條件，監(jiān)控空氣壓力，電流，水流量等
分控制面板： 厚度控制顯示
13. 設備尺寸及重量 尺寸： 1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H)
重量： 3900 Kg
14. 真空泵單元 型號： Kashiyama Industry LEM40U-1
功率： 1.5KW
壓力： 40 Torr (5.3 x 103 Pa)
排氣速度： 40 m3/hour
轉速： 3500 rpm
水流量： 5 升/分
15. 工藝指標 片內厚度差（TTV）： ≤1.5μm
片間厚度差（WTW） ≤±2μm
粗糙度（Ry）： ≤0.13 μm(2000#磨輪)
注：以8寸Si wafer為例，不帶保護膜情況
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