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美國(guó)Trion Technology
反應(yīng)式離子刻蝕(RIE/ICP)系統(tǒng)及沉積(PECVD)系統(tǒng) |
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批量生產(chǎn)用設(shè)備:
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去膠系統(tǒng)
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- 低損傷去膠系統(tǒng)
新式去膠系統(tǒng)的成本已攀升到不合理水平，但Trion已通過(guò)兩套價(jià)格低廉、緊湊的多功能系統(tǒng)使這一關(guān)鍵問(wèn)題得到解決：Gemini和Apollo。利用ICP(電感耦合等離子)、微波和射頻偏置功率，可以在低溫條件下將難于消除的光刻膠去除。根據(jù)應(yīng)用要求，每套系統(tǒng)可以結(jié)合SST-Lightning 微波源(既可靠又沒(méi)有任何常見(jiàn)的微波調(diào)諧問(wèn)題) 或ICP 技術(shù)。 ? 刻蝕速率高達(dá)6微米/分? ? 高產(chǎn)量 ? 等離子損傷低? ? 自動(dòng)匹配單元 ? 適用于100mm 到300mm 基片? ? 設(shè)備占地面積小 ? 價(jià)格具競(jìng)爭(zhēng)性 |
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刻蝕/沉積
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Titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動(dòng)化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。
Titan具有反應(yīng)離子刻蝕(RIE)配置、高密度電感耦合等離子沉積(HDICP)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)配置?？蓪?duì)單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價(jià)格適宜且占地面積小。 刻蝕應(yīng)用范圍：? 砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦、鋁、硅化物、鉻以及其他要求腐蝕性和非腐蝕性化學(xué)刻蝕的材料。 沉積應(yīng)用范圍： 二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各種材料。 |
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Oracle III由中央真空傳輸系統(tǒng)(CVT)、真空盒升降機(jī)和最多四個(gè)工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對(duì)接，既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行，也能夠作為單個(gè)系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 Oracle III是市場(chǎng)上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
由于Oracle III 最多可容納四個(gè)獨(dú)立的工藝室，其可以有多種不同的工藝組合，其中包括RIE/ICP (反應(yīng)離子刻蝕機(jī)/電感耦合等離子)刻蝕和PECVD 沉積。多個(gè)室可以同時(shí)工作。鑒于所有工藝室均有真空負(fù)載鎖，工藝運(yùn)行安全且沒(méi)有大氣污染。 |
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小批量生產(chǎn)用設(shè)備:
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沉積 (PECVD)
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Minilock-Orion III是一套最先進(jìn)的等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據(jù)電極配置，可以處理單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)?？沙练e的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、無(wú)定形硅和碳化硅?？梢允褂玫姆磻?yīng)氣體包括：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。
該系統(tǒng)可選配一個(gè)三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。其中三極管使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力?；ㄟ^(guò)預(yù)真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產(chǎn)品接觸，從而提高了用戶的安全性。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應(yīng)室與大氣隔絕。 |
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刻蝕 (RIE)
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Minilock-Phantom III?具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)。適用于單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應(yīng)室還可以用于去除光刻膠和有機(jī)材料?？蛇x配靜電吸盤(E-chuck)，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個(gè)氦冷卻層，從而達(dá)到控制基片溫度的作用。
該設(shè)備可選配一個(gè)電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。 |
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實(shí)驗(yàn)室/研發(fā)/芯片失效分析用設(shè)備:
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沉積
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Orion III 等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)適用于單個(gè)基片、碎片或帶承片盤的基片(2” - 300mm尺寸)，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)提供最先進(jìn)的沉積能力。Orion III系統(tǒng)用于非發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和無(wú)定形硅。工藝氣體：<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。該設(shè)備可選配一個(gè)ICP或三極管(Triode)源。
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刻蝕
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Phantom III反應(yīng)離子蝕刻(RIE)系統(tǒng)適用于單個(gè)基片、碎片或帶承片盤的基片300mm尺寸，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)提供最先進(jìn)的等離子蝕刻能力。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于蝕刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化學(xué)刻蝕的薄膜或基片(如碳、環(huán)氧樹(shù)脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢以及鎢鈦)
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Sirus T2 臺(tái)面式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)可用于介質(zhì)以及其它要求氟化基化學(xué)的薄膜刻蝕。用於對(duì)矽、二氧化矽、氮化矽、石英、聚亞醯胺、鉭、鎢、鎢鈦以及其他要求特徵控制，高度選擇性和良好一致性的材料進(jìn)行蝕刻。?
本機(jī)包含200mm下電極, 系統(tǒng)控制器(含電腦主機(jī)及觸控介面)，13.56MHz, 300/600W 射頻發(fā)生器及自動(dòng)調(diào)諧，最大四路/六路工藝氣體及自動(dòng)壓力控制模塊等。占地面積小且堅(jiān)固耐用，非常適合用於研發(fā)，實(shí)驗(yàn)室環(huán)境及失效分析。 |
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