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中微自主研發(fā)的300毫米甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備可以用于加工64/45/28納米氧化硅（SiO），氮化硅（SiN）及低介電系數(shù)（low K）膜層等不同電介質(zhì)材料。

高生產(chǎn)率、高性能的小批量多反應(yīng)器系統(tǒng)可以靈活地裝置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺反應(yīng)器，以達(dá)到最佳芯片加工輸出量。每個(gè)反應(yīng)器都可以實(shí)現(xiàn)單芯片或雙芯片加工。該設(shè)備具有獨(dú)特的專利創(chuàng)新技術(shù)，包括甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕的等離子體源，等離子隔離環(huán)及碳化硅噴淋頭設(shè)計(jì)等。

系統(tǒng)特點(diǎn)及技術(shù)優(yōu)勢

去耦合反應(yīng)離子刻蝕和穩(wěn)定的射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供了對離子濃度和離子能量的分別控制，也達(dá)到了有效的關(guān)鍵尺度控制

獨(dú)特的射頻輸入和對稱分布可對刻蝕過程和芯片內(nèi)刻蝕均勻度達(dá)到精密控制

具有自主知識產(chǎn)權(quán)的雙重等離子體聚焦使刻蝕過程更為穩(wěn)定和可靠，并使雜質(zhì)微粒數(shù)降到最低

每個(gè)反應(yīng)臺獨(dú)立的射頻發(fā)生器，各反應(yīng)臺均勻度的分別控制和刻蝕終點(diǎn)控制，使得每片晶圓可以在獨(dú)立的反應(yīng)環(huán)境中被刻蝕處理，達(dá)到最佳結(jié)果。這是業(yè)界第一次在同一機(jī)臺上實(shí)現(xiàn)單芯片或雙芯片加工隨意轉(zhuǎn)換成為可能

雙射頻的下電極輸入提供了穩(wěn)定，可靠的等離子體濃度和離子能量，從而使刻蝕過程穩(wěn)定，可重復(fù)，并且使各反應(yīng)臺加工結(jié)果一致

擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，具有快速，穩(wěn)定，可靠的調(diào)諧能力自隔離射頻匹配裝置

反應(yīng)室內(nèi)壁選用高純度，耐等離子體特殊材料。開發(fā)最佳的材料加工過程，大大降低損耗。將雜質(zhì)微粒數(shù)降到最低

高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備 Primo D-RIE

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