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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD設(shè)備）主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

設(shè)備用途和功能特點(diǎn)

1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng)，具備真空系統(tǒng)檢測與保護(hù)、水壓檢測與保護(hù)、相序檢測與保護(hù)、溫度檢測與保護(hù)。

3、配置尾氣處理裝置。

設(shè)備安全性設(shè)計(jì)

1、電力系統(tǒng)的檢測與保護(hù)

2、設(shè)置真空檢測與報(bào)警保護(hù)功能

3、溫度檢測與報(bào)警保護(hù)

4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量檢測與報(bào)警保護(hù)

設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

樣片尺寸 ≤φ6英寸（或3片2英寸）

樣片加熱臺加熱溫度室溫～ 600℃±0.1℃

真空室極限真空 ≤7×10^-5Pa

工作背景真空 ≤8×10^-4Pa

設(shè)備總體漏放率停泵12小時(shí)后，真空度≤10Pa

樣品、電極間距 5mm ～ 50mm在線可調(diào)

工作控制壓強(qiáng) 10Pa ～ 1500Pa

氣體控制回路根據(jù)工藝要求配置

單頻電源的頻率 13.56MHz

雙頻電源的頻率 13.56MHz/400KHz

工作條件

供電三相五線制 AC 380V

工作環(huán)境溫度 10℃～ 40℃

氣體閥門供氣壓力 0.5MPa ～ 0.7MPa

質(zhì)量流量控制器輸入壓力 0.05MPa ～ 0.2MPa

冷卻水循環(huán)量 0.6m³/h 水溫18℃～ 25℃

設(shè)備總功率 7kW

設(shè)備占地面積 2.0m ～ 2.0m

PECVD及太陽能薄膜電池設(shè)備

1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD設(shè)備）非標(biāo)定制

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