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Exceptional high density plasma高密度等離子體
SI500D 具有優(yōu)良的等離子體特性，例如高密度，低離子能量，沉積介質(zhì)膜時低壓強等。
Planar ICP plasma source平板ICP等離子源
SENTECH專有的平板三螺旋天線（PTSA）等離子源能實現(xiàn)高效低功率耦合
Outstanding deposition properties 優(yōu)良的沉積特性
沉積的薄膜具有損傷少、擊穿電壓高、應(yīng)力低，對襯底無損傷，極低表面態(tài)密度，能低于100°C的沉積等優(yōu)良特性。
Dynamic temperature control 動態(tài)溫控
襯底電極結(jié)合背面氦氣冷卻和溫度傳感器進行動態(tài)溫控，能提供穩(wěn)定的工藝條件，溫度范圍為室溫至350 °C。
SI500D等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)可以進行介質(zhì)膜、α-硅、SiC和其他材料的沉積。

SI500D具有PTSA等離子源、分開式反應(yīng)氣體進氣系統(tǒng)，動態(tài)襯底電極溫控，全面控制真空系統(tǒng)，采用遠程現(xiàn)場控制總線技術(shù)的SENTECH控制軟件，以及友好用戶操作界面來操作。
SI500D可以在最大尺寸為200mm的多種晶圓片上的進行沉積。單片真空裝片裝置保證了工藝條件穩(wěn)定性，同時允許工藝的靈活切換。
SI 500D型PECVD設(shè)備適用于室溫至350℃條件下進行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級別的自動化裝置，從真空裝片系統(tǒng)到最大6端口的工藝腔室裝置。SI500同樣可以作為多腔室配置中的一個工藝模塊。

ICPECVD（ICP-PECVD）電感耦合增強型等離子沉積系統(tǒng)

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