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4006988696
本機是制造中、大規(guī)模集成電路,傳感器,表面波元件,磁泡,微波和CCD等器件的重要光刻設(shè)備。
1、適用的掩模尺寸: | a、150*150*2.3mm(選購) b、125*125*2.3mm c、100*100*2.3(選購) |
2、適用的硅片尺寸: | a、ф125mm(選購) b、ф100mm c、ф75mm(選購) |
3、曝光分辨率 | 2чm |
4、掩模與硅片之間的相對位移范圍: | X、Y±5mm,θ±5° |
5、掩模旋轉(zhuǎn)范圍: | ±5° |
6、承片臺的球座平面至掩模板面微調(diào)范圍 | 0~1mm |
7、曝光燈源: | 200W超高壓直流汞燈 |
8、曝光譜線: | 436、405、365(nm) |
9、曝光系統(tǒng)能量不低于 | 18mw/cm2 |
10、曝光系統(tǒng)的照度均勻度: | ф110mm范圍內(nèi)±3%;ф136mm范圍內(nèi)±5% |
11、顯微鏡的照明波長: | ≈545nm |
12、曝光時間控制范圍: | 0~99.99S |
13、雙目分離視場顯微鏡的放大倍數(shù) | |
(1)目鏡共二種:10X,15X ?。?)平視場物鏡共三種:4X,10X,16X ?。?)合成放大倍率:40X-240X | |
14、分離視場調(diào)節(jié)范圍 | 30~80mm |
15、真空接觸壓力: | ≤-0.06Mpa |
16、供電電源 | AC220V±10% 50HZ |
17、環(huán)境溫度: | 22±2°C |
18、相對溫度: | ≤60% |
19、凈化等級: | 100級 |
20、外形尺寸: | W960*D1000*H1400mm |
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