多靶磁控濺射鍍膜機(PVD) 沈陽金研
1、
設備用途:本設備為雙室立式結構的超高真空對靶磁控濺射及離子束濺射鍍膜系統(tǒng)。設備用于各種金屬薄膜、半導體薄膜、介質薄膜、超晶格薄膜、集成光學薄膜、多層薄膜和薄膜器件的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
2.技術數(shù)據(jù):
極限真空度
(分子泵系統(tǒng)) |
樣品室 |
≤ 2.0×10-1Pa |
漏氣率 |
≦ 5.0×10-8 Pa•L/s |
濺射室 |
≤ 8.0×10-5Pa |
設備支持的濺射模式 |
直流濺射/射頻濺射;直流及射頻反應濺射;單靶濺射/多靶共濺射 |
濺射不均勻性 |
≤±5% |
2.1磁控濺射靶:
標準磁場磁控濺射靶3只
聚焦模式上置安裝,自上向下濺射成膜
每只靶均帶有可自動開閉的擋板
2.2設備支持的濺射模式包括:
直流濺射/射頻濺射
直流及射頻反應濺射
單靶濺射/多靶共濺射
2.3復合分子泵和離子濺射泵真空系統(tǒng)
2.4美國AE公司射頻電源及自動匹配器
2.5質量流量控制器(Ar量程100sccm,O2量程30sccm)
2.6樣品臺自轉,轉速5~30rpm范圍內可調
2.7樣品加熱溫度PID控制,自動測溫、控溫,多段控溫模式。
2.8采用PLC+工控機結合上位機軟件對系統(tǒng)進行控制。
2.9膜厚儀可選
3.技術規(guī)格: JS-PVD-1 ;JS-PVD-2