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                     設備型號：ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M

光學系統(tǒng)：
曝光時間調(diào)解器：0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s)
365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環(huán)；
聲控功率警報裝置可防止系統(tǒng)功率超過設定指標；
有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度；
波長濾片檢查及安裝裝置
抗衍射反射功能高效反光鏡；
二向色的防熱透鏡裝置；
防汞燈泄漏裝置；
配備蠅眼棱鏡裝置
配備近紫外（或深紫外）光源，
    --220 nm 輸出強度 – 大約 8-10 mW/ cm2
    --254 nm 輸出強度 – 大約 12-14 mW/ cm2
    --365 nm 輸出強度 – 大約 18-20 mW/ cm2
    --400 nm 輸出強度 – 大約 30-35 mW/ cm2


背后對準測試1: 3um光刻膠套刻至5umAl線內(nèi)	背后對準測試2: 硅片套刻金屬10um對準標記

主要配置：

6“，8”光源系統(tǒng)
可支持2“，3”，4“，6”，8“（圓/方片）及碎片光刻
手動系統(tǒng)，半自動系統(tǒng)
支持電源350-2000 Watt
支持深紫外近紫外波長（可選項）
支持背后對準及MEMS工藝要求
CCD或顯微鏡對準系統(tǒng)

主要性能指標：
光強均勻性Beam Uniformity:：
    --<±1% over 2” 區(qū)域
    --<±2% over 4” 區(qū)域
    --<±3% over 6” 區(qū)域
接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um
接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
支持接近式曝光，特征尺寸CD：
    --0.8um  硬接觸
    --1um    20um 間距時
    --2um    50um 間距時
正面對準精度 ± 0.5um
背面對準精度±1um--±2um（Depends on user）
支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um
支持LED優(yōu)異電流控制技術PSS工藝光刻
支持真空、接近式、接觸式曝光
支持恒定光強或恒定功率模式

美國ABM雙面對準光刻機怡和瑞豐

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