服務(wù)熱線
4006988696
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工藝:用于SiC或Si的高溫氧化等工藝
晶圓規(guī)格:2”4”6”SiC/Si晶圓
設(shè)備結(jié)構(gòu):水平/垂直
工藝溫度:1350/1380℃
爐體溫度:可達(dá)1500℃或更高
生產(chǎn)能力:研發(fā)型/小批量,生產(chǎn)型
設(shè)備特點(diǎn):
優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計 占地面積小
靈活多樣的工藝調(diào)整
半自動/全自動的選擇
極限真空 1 Pa
壓力控制:如0.8 Bar至1Ba(或其他要求)
多種的裝片方式
極方便的操作、維護(hù)方式
極低維護(hù)使用成本
極高的可靠性
終生的技術(shù)支持!
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