本設(shè)備是由加熱器以及爐內(nèi)部件采用立式的方法配置，是用于在石英管內(nèi)的擴散、氧化、CVD、熱處理的設(shè)備。組成部分：主要是由加熱系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、自動裝片機構(gòu)等組成。
常壓擴散
主要參數(shù)：
規(guī)格
生成膜： 氧化膜（Dry氧化）
處理數(shù)（片／批量）： Product wafer：150片
Dummy wafer： 15片
Monitor wafer： ５片
膜厚（埃）： 1000
生成周期（批量）： 3
膜厚均勻性：片內(nèi)±3%；片間±3%；批間±3%
※注：以上數(shù)據(jù)為清洗后的參數(shù)
樣式
片間距： 5.2mm
溫區(qū)數(shù)量： 4段溫區(qū)
爐膛有效使用內(nèi)徑：φ335 mm
使用溫度： 600-1250℃
MFC數(shù)量： 6路（最大12路）
氣閥控制： 24V電磁閥最大配置24路
自動裝片機構(gòu)部分主要參數(shù)：
載片機：一次傳送5片
可變吸盤移動范圍： 5.2-13mm
載片轉(zhuǎn)臺（2段式）： 最大8盒
外形尺寸及重量
外形尺寸： 1000mm*1940mm*3200mm（長*寬*高）
重量： 1500Kg
設(shè)備功率
加熱部分50KVA，控制部分5KVA
冷卻水
給水參數(shù)：水壓0.35MPa，流量10L/min
排水參數(shù)：水壓≤0.5MPa，
水質(zhì)：PH 7-8軟水，電阻率10KΩ-cm以上，水溫23±3℃
※ 請用精度大于７０μｍ的除塵網(wǎng)。
低壓擴散
主要參數(shù):
規(guī)格
生成膜： Poly，Si3N4，TEOS
處理數(shù)（片／批量）： Product wafer：150片
Dummy wafer： 15片
Monitor wafer：5片
膜厚（埃）： 1000
生成周期（批量）： 3
膜厚均勻性：片內(nèi)≤±3%；片間≤±3%；批間≤±3%
※注：以上數(shù)據(jù)為清洗后參數(shù)。
樣式
片間距：5.2mm
工作溫度范圍：450-850℃（爐內(nèi)溫度）
溫區(qū)數(shù)量：4段溫區(qū)
加熱器長度：1350mm
加熱器有效口徑：Φ335mm
工作壓力范圍：30-133pa
系統(tǒng)極限真空度：0.8pa
MFC數(shù)量：6路（最大12路）
Interlock port：24路（最大36路）
自動裝片機構(gòu)部分主要參數(shù)：
載片機： 一次傳送5片
可變吸盤移動范圍： 5.2-13mm
載片轉(zhuǎn)臺（2段式）： 最大8盒
外形尺寸及重量
外形尺寸： 1000mm*1940mm*3200mm（長*寬*高）
重量：1500Kg
設(shè)備功率
加熱部分50KVA，控制部分5KVA，泵12 KVA
冷卻水
給水參數(shù)：水壓0.35MPa，流量10L/min
排水參數(shù)：水壓≤0.5MPa，
水質(zhì)：PH 7-8軟水，電阻率10KΩ-cm以上，水溫23±3℃
※ 請用精度大于７０μｍ的除塵網(wǎng)。
網(wǎng)站首頁
購物車
用戶中心
全部產(chǎn)品分類
提示信息
免費咨詢行業(yè)專家
