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分子束外延MBE設(shè)備（分子束外延薄膜生長設(shè)備MBE）可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量*子*阱、一維納米線等?？梢赃M行第*二*代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗證和外延片的生長制造。

分子束外延薄膜生長設(shè)備在薄膜外延生長時具有超*高的真空環(huán)境，是在理*想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高*精*度*薄膜。

我公司設(shè)計制造的分子束外延薄膜生長實驗設(shè)備，分實驗型和生產(chǎn)型兩種，配置合理，結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，技*術(shù)*先*進，性*能*可*靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學(xué)的實驗室及科研機構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實驗、科學(xué)研究及工藝實驗之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備。

功能特點

本項目于2005年在國內(nèi)率先完成了成套MBE的全國產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計和制造，做到自主可控。自主設(shè)計MBE超*高*真*空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實時在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）等核心部件。

可實現(xiàn)第二代半導(dǎo)體（如砷化鎵等）和第三代半導(dǎo)體（如碳化硅和氮化鎵）的外延生長。

設(shè)備組成與主要技術(shù)指標

設(shè)備的組成

進樣室

該室用于樣品的進出倉，并配置有多樣片儲存功能。樣品庫可放六片基片。

預(yù)處理室

該室用于樣品在進入外延室之前進行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣，及其他前期工藝處理。還用于對外延后的樣片進行后工藝處理，如高溫退火等等。

外延室

超*高*真*空潔凈真空室，實現(xiàn)分子束外延工藝。

主要技術(shù)指標

進樣室

極限真空：5.0×10^-5Pa

樣品裝載數(shù)量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，帶樣品載具）

預(yù)處理室

極限真空：5×10^-7Pa

樣品臺加熱溫度：室溫～ 850℃±1℃（PID 控制）

離子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV

外延室

項目參數(shù)

極限真空離子泵 8.0×10^-9 Pa（冷阱輔助）

樣品臺加熱溫度室溫～ 1200℃±1℃（PID 控制）

樣品自轉(zhuǎn)速度 2 ～ 20 轉(zhuǎn) / 每分鐘（無級可調(diào)）

氣態(tài)離化源 1～3套（氮）

固態(tài)束源爐 3 ～ 8 套（根據(jù)用戶需求配置）

Rheed 1套

*工藝室部分部件根據(jù)客戶需求不同，所配置不同。

實驗型MBE

設(shè)備組件

超*高*真*空直線型電子槍

自主研發(fā)直線型電子槍，滿足超*高*真*空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求；可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā)。

超*高*真*空直線型電子槍

高能衍射槍及電源

束斑0.6mm，高壓25kV。

光斑在熒光屏上可衍射圖像經(jīng)CCD 相機采集后由計算機進行圖像處理。

生產(chǎn)型MBE

工藝實現(xiàn)

使用鵬城半導(dǎo)體自主研發(fā)的分子束外延設(shè)備生長的Bi_2-xSb_xTe₃。

1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7

供應(yīng) 鵬城半導(dǎo)體分子束外延MBE設(shè)備非標定制高精度薄膜

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