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    ald原子層沉積設備 NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體加工設備-鍍膜設備-原子層沉積ALD

    產品品牌

    那諾-馬斯特/Nano-Master

    庫       存：

    999

    產       地：

    美國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
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    品牌：那諾-馬斯特/Nano-Master

    型號：

    所屬系列：半導體加工設備-鍍膜設備-原子層沉積ALD



    NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)    概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足較精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。

     

    NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)特點：NLD-4000是一款獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶授權保護功能。系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。NLD-4000系統(tǒng)提供12”的鋁質反應腔體，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋，非常方便腔體的訪問和清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含多達7個50ml的加熱汽缸，用于前驅體以及反應物，同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。

     

    NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)選配：NLD-4000系統(tǒng)的選配項包含自動L/UL上下載(用于6”基片)，ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)，臭氧發(fā)生器，等等。

     

    NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)應用：

    • Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc

    • Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..

    • Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.

    • Nano laminates納米復合材料

      型號：

              NLD-3000 型臺式系統(tǒng)
              NLD-3500 緊湊型獨立式系統(tǒng)
              NLD-4000 型獨立式系統(tǒng)

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