- 產(chǎn)品名稱:2英寸6片W620型設備
- 產(chǎn)品介紹:
主要技術(shù)參數(shù):
1、生長晶片尺寸: 2英寸6片;
2、生長溫度控制范圍:300-1300℃;
3、最大生長速度:大于3um/小時;
4、反應室壓力控制范圍20-900托,連續(xù)可調(diào),控制精度1托(200-900托);0.2托(20-200托);
5、系統(tǒng)氣密性:管路系統(tǒng)漏氣率<1X10-9PaL/S;
6、外延膜的均勻性和重復性優(yōu)于±5%;
7、配備:(可根據(jù)用戶要求配置)
4路氣體:(H2,N2,NH3,SiH4)
6路MO源:(TEG,TEA,TMA,Cp2Mg,TMG,TMin)
7、主機外形尺寸:4800×800×2200mm(L×W×H)(不包括RF電源)
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