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    Veeco 適用于功率器件的 Propel Power GaN MOCVD 系統(tǒng)

    產(chǎn)品品牌

    Veeco

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    中國-上海市

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥10000.00
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    Veeco 適用于功率器件的 Propel Power GaN MOCVD 系統(tǒng)

    單晶片反應(yīng)腔技術(shù)能夠生產(chǎn) GaN 基高效功率器件。

    Veeco 的 Propel™ Power GaN MOCVD 系統(tǒng)專為電力電子器件行業(yè)而設(shè)計。該系統(tǒng)采用單晶片反應(yīng)腔平臺，能夠處理六至八英寸晶片，可沉積高品質(zhì)的 GaN 薄膜，生產(chǎn)高效率的電力電子器件。這種單晶片反應(yīng)腔基于 Veeco 的領(lǐng)先 TurboDisc® 設(shè)計并采用突破性的技術(shù)，其中包括新的 IsoFlange™ 以及可在整個承載盤中提供均勻的層流和統(tǒng)一溫度曲線的 TruHeat™ 晶片線圈?？蛻艨梢院茌p松地從 Veeco K465i™ 和 MaxBright™ 系統(tǒng)切換到 Propel Power GaN MOCVD 平臺。

    • 出色的薄膜均勻度、產(chǎn)量和設(shè)備性能
    • 具有較長的運行時間和較低的顆粒缺陷，實現(xiàn)出色的良率和靈活性
    • 快速研究周期可加速從硅基氮化鎵研發(fā)過渡到大批量生產(chǎn)
    • 模塊化設(shè)計，實現(xiàn)輕松的配置、操作和維護(hù)

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