CVD薄膜制備設(shè)備--G系列

1. “G系列”設(shè)備制膜原理：

本公司研發(fā)的“G系列”的CVD制膜設(shè)備所搭載的原料供給系統(tǒng)為“氣體原料供料系統(tǒng)”，設(shè)備適用于沉積各種功能、結(jié)構(gòu)薄膜時使用的原料為氣態(tài) (Gas precursor),故將該系列設(shè)備命名為“G系列”。該系列的“氣體原料供料系統(tǒng)”是由若干氣體質(zhì)量流量計，一個原料混合室及相應(yīng)的氣體輸送管道組成。氣體的混合比可通過單位時間的流量也就是通過質(zhì)量流量計直接控制，各氣源通過流量計后，在原料混合室內(nèi)混合均勻，然后通過導(dǎo)管被運(yùn)送至基板表面，氣態(tài)源與反應(yīng)劑（例如：O₂，NO，C₂H₂等）反應(yīng)，生成所需要的薄膜。

2. 氣體原料供料系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)：

“G系列”的CVD薄膜制備設(shè)備存在如下優(yōu)點(diǎn)：①不需要專門加熱罐，因此設(shè)備構(gòu)成相對簡單，設(shè)備制作成本相對偏低， ②反應(yīng)原料直接呈現(xiàn)氣態(tài)，因此薄膜合成時更為均勻；③由于氣態(tài)源流量可直接通過質(zhì)量流量計精準(zhǔn)控制，因此可為薄膜制備長時間提供精確、穩(wěn)定、持續(xù)的原料氣源；④不存在原料浪費(fèi)現(xiàn)象；⑤設(shè)備每步動作均可以通過計算機(jī)編程控制，具有工業(yè)化應(yīng)用潛質(zhì)。

3. 薄膜沉積過程中激光輔助的作用（激光發(fā)生器為可選配件）：

本公司研發(fā)的“G系列”的CVD制膜設(shè)備在選型時，可以選擇搭載不同型號的激光發(fā)生器，升級為“激光化學(xué)氣相沉積(laser chemical vapor deposition)”設(shè)備。激光化學(xué)氣相沉積法是利用激光增強(qiáng)常規(guī)CVD生長過程的一種先進(jìn)薄膜制備技術(shù)。激光束通過透鏡組放大為直徑為10-50mm的光斑，以45°或30°的入射角照射基板表面以增強(qiáng)整個化學(xué)氣相沉積過程。原料蒸氣在激光光子活化下更易于分解、反應(yīng)（即激光的光化學(xué)效應(yīng)），不僅加速了薄膜沉積速率，還大幅度地降低了薄膜合成溫度（激光熱效應(yīng)）。

4.常規(guī)CVD設(shè)備加熱臺的升溫極限：

對于任何一臺CVD設(shè)備來講，除原料供給系統(tǒng)之外，決定其性能高低的另一關(guān)鍵因素在于基板加熱系統(tǒng)，也即是加熱臺能長時間穩(wěn)定工作的最高溫度，因此基板加熱系統(tǒng)的設(shè)計也成為CVD設(shè)備研發(fā)的難題之一。

在非氧化氣氛下，通過石墨(熔點(diǎn):3850 °C)、鉭絲(熔點(diǎn):2995 °C)、鎢絲(熔點(diǎn):3380 °C)或鉬絲(熔點(diǎn):3650 °C)等高熔點(diǎn)發(fā)熱體的輻射傳熱,輕松使得懸置于其上方的樣品托板表面獲得1600 °C以上的高溫。然而，在氧化氣氛下，石墨、鉭絲、鎢絲及鉬絲等這些高熔點(diǎn)發(fā)熱體將會被迅速氧化而破壞。因此在此情況下，只能選擇抗氧化的高溫發(fā)熱體。就目前而言，在氧氣氛下能長時間穩(wěn)定工作、且自身發(fā)熱溫度能達(dá)到1400°C以上的發(fā)熱體有硅碳棒(SiC, 1450 °C)、硅鉬棒(MoSi₂, 1600 °C)及鉬鉻鋁電阻絲(OCr₂₇Al₇Mo₂, 1400 °C)。雖然這些發(fā)熱體在氧氣氛下的表面溫度能達(dá)到1400 - 1600 °C，但若將其裝配到加熱臺上時，將面臨兩個不可避免的熱量損失：其一，由于SiC、 MoSi₂ 及OCr₂₇Al₇Mo₂發(fā)熱體本身就是導(dǎo)體，為防止觸電，樣品托板只能懸空安裝于發(fā)熱體之上，就是說樣品托板的升溫只能靠發(fā)熱體的熱輻射來實(shí)現(xiàn)，此時輻射傳熱會損失一部分能量；其二，樣品托板本身也是能量損失的一個重要因素。因為樣品托板通常選取導(dǎo)熱能力較強(qiáng)的陶瓷，例如:3-5毫米的碳化硅或者氮化鋁(AlN)板（陶瓷板太薄容易炸裂，太厚導(dǎo)熱效果差；不選擇inconel 600， Gh128及Hastelloy C 276等耐高溫合金是因為它們在高溫單面輻射加熱下均會起拱變形），而陶瓷板的上、下面間的溫度差就有200-300 °C。因此，由于發(fā)熱體熱輻射損耗及陶瓷樣品托板隔熱損耗的原因，加熱臺表面最終獲得的最高溫度也只有1200 °C左右，這也是目前在氧氣氛下工作的常規(guī)CVD制膜設(shè)備的最高溫度極限。

5.選擇激光發(fā)生器的原因：

一般功能薄膜的最佳沉積溫度通常在1000 °C以下，所以選擇常規(guī)CVD制膜設(shè)備就能滿足要求。但對于一些特種結(jié)構(gòu)薄膜而言（例如：ɑ-Al₂O₃），在1200 °C下并不能獲得高質(zhì)量的結(jié)晶相，若想進(jìn)一步在氧氛圍下將其加熱溫度提高到1200 °C以上，就需要其它部件的輔助，比如，激光發(fā)生器。本公司通過光纖激光器的輔助，在1200 °C預(yù)熱條件下，輕而易舉地將一塊氮化硅(Si₃N₄)陶瓷融化（陶瓷發(fā)動機(jī)材料，熔點(diǎn)1900°C左右）。

總的來說，選擇激光CVD的原因可以歸納為如下兩點(diǎn)：①制備一些合成溫度高于1200 °C的特種結(jié)構(gòu)薄膜；②作為一種新興的先進(jìn)薄膜制備技術(shù)，研究者在研究激光與薄膜材料相互作用時，更容易發(fā)現(xiàn)一些新問題、拓展新思路、發(fā)表好文章。

6.主要用途：

制備各種非氧化物的功能、結(jié)構(gòu)薄膜，例如：SiC，NTi等。