XEIA3 Model 2016 Triglav^TM——新開(kāi)發(fā)的配備TriglavTM物鏡及先進(jìn)探測(cè)系統(tǒng)的高分辨掃描電子顯微鏡
非凡的超高分辨率成像能力和優(yōu)異的微細(xì)加工功能

XEIA3 model 2016 是一款獨(dú)特的能實(shí)現(xiàn)綜合性能的一體化FIB-SEM。它具備了各種強(qiáng)大的應(yīng)用功能，如快捷的微納米FIB加工，超高分辨率可靠分析或復(fù)雜的3D重構(gòu)分析等。
TESCAN 不僅提供XEIA3 model 2016這類(lèi)最新型的儀器設(shè)備，也同時(shí)致力于推動(dòng)科學(xué)研究的前沿發(fā)展。TESCAN的定制系統(tǒng)能滿足各類(lèi)客戶的具體需求，從材料科學(xué)到生命科學(xué)，從材料工程到半導(dǎo)體行業(yè)，TESCAN的設(shè)備一直都表現(xiàn)出高性能的特點(diǎn)。

主要特點(diǎn)
Triglav^TM——新開(kāi)發(fā)的配備TriglavTM物鏡及先進(jìn)探測(cè)系統(tǒng)的高分辨掃描電子顯微鏡

• 獨(dú)特的無(wú)交叉模式及超高分辨率物鏡的組合，以獲得良好的成像模式
• 先進(jìn)可變的探測(cè)系統(tǒng)能同時(shí)獲得各種信號(hào)
• 超高納米分辨率：0.7nm@15keV
• 極限分辨率：1nm@1keV
• 角度選擇BSE探測(cè)器能在低束能下獲得最優(yōu)的形貌及元素襯度
• 實(shí)時(shí)電子束追蹤技術(shù)TM能優(yōu)化電子束性能
• 傳統(tǒng)的TESCAN大視野光學(xué)器件™設(shè)計(jì)提供各種工作和顯示模式
• EquiPower™提供了優(yōu)秀的電子束穩(wěn)定性
• 新的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍能使電子束流達(dá)到400nA以及實(shí)現(xiàn)電子束能量的快速改變
• 最新的探測(cè)技術(shù)可應(yīng)用于先進(jìn)的失效分析過(guò)程中
• 易損生物樣品的成像
• 磁性樣品的成像
• 優(yōu)化的幾何鏡筒分布能夠獲得8’’晶圓分析手段（SEM探測(cè)，F(xiàn)IB微加工）
• 3D電子束技術(shù)獨(dú)特的立體成像
• 友好的用戶界面，成熟的軟件模塊和自動(dòng)化程序

Xe等離子體FIB主要特點(diǎn)

• 強(qiáng)有力的Xe等離子源聚焦離子束FIB系統(tǒng)，能夠在短時(shí)間內(nèi)完成挑戰(zhàn)性的大規(guī)模切割任務(wù)
• 通用的離子束電流范圍
• 橫截面TSVs，BGAs和MEMS應(yīng)用的大電流
• 大面積表面拋光，大體積FIB層析成像下的中等電流
• TEM薄片拋光，切片下的小電流
• 微細(xì)加工，離子成像，薄膜拋光下的極小電流
• 無(wú)任何輔助增加氣體的大質(zhì)量Xe離子，具有超高濺射率
• 大規(guī)模三維重構(gòu)分析
• 比起Ga 離子源的FIB，高加速電壓下的離子注入明顯減少
• 在FIB切割時(shí)無(wú)金屬間化合物形成
• 理想的生物樣品3D超細(xì)結(jié)構(gòu)研究手段，如組織及所有細(xì)胞的FIB-SEM研究。

應(yīng)用

半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域

XEIA3 model 2016是理想的FIB-SEM系統(tǒng)，能夠滿足低束能下極限分辨率及大規(guī)模FIB-SEM分析的需求。XEIA3能夠?qū)κ舾胁牧线M(jìn)行成像，如光致抗蝕劑和最新的技術(shù)模式下超薄的晶體層。XEIA3 model 2016可以用于進(jìn)行包裝技術(shù)如TSVs，BGAs及電鍵的失效分析，這種情況下需要進(jìn)行材料大體積切割，而XEIA3能夠輕易達(dá)到任何維度的幾百納米的量級(jí)。

• 先進(jìn)封裝技術(shù)的失效分析：TSV分析：應(yīng)力水平下的截面分析及結(jié)構(gòu)與晶粒分布，裂紋、分層和孔洞的檢查；BGA；電鍵；
• 集成電路的失效分析包括：二維的自上而下的氣體輔助片層；TEM薄片制備；截面切片
• 通過(guò)非導(dǎo)電材料或絕緣材料沉積進(jìn)行電路編輯和FIB加工
• MEMS失效分析——微機(jī)電系統(tǒng)
• Cu柱，TSVs，電線，ICs的結(jié)構(gòu)分析FIB-SEM層析成像
• 原位TEM薄片成像：STEM分析及TKD-EBSD
• 大晶片觀察及微加工
• 精細(xì)的光致抗蝕劑成像
• EBIC故障隔離測(cè)試
• 電池領(lǐng)域的TOF-SIMS分析

材料科學(xué)

XEIA3 model 2016為非導(dǎo)電材料成像提供了一種具體的解決方式，具體適用于陶瓷，高分子聚合物以及各類(lèi)光束敏感型試樣。Xe等離子體FIB為材料科學(xué)的研究和發(fā)展提供了極大的便利，尤其是需要用一種可控及高空間分辨率下定點(diǎn)切割大規(guī)模材料。等離子FIB可以快速加工并且進(jìn)行無(wú)研磨損傷，無(wú)脫層沉積，晶粒改變或者其他切片技術(shù)，避免像切片機(jī)或機(jī)械拋光時(shí)所造成的其他缺陷。在微觀分析方面，Xe是惰性的非導(dǎo)電活性氣體，不會(huì)形成金屬間化合物。 而Ga則會(huì)與樣品表面產(chǎn)生反應(yīng)，這可能會(huì)改變?cè)嚇釉嘉锢硇再|(zhì)（電，磁），或者干擾元素分析。

• 利用極限分辨率層析成像進(jìn)行樣品研究，可以提高聚焦深度。
• 磁性樣品成像。
• 大型橫切片。
• 疲勞及裂紋形成分析。涉及冶金，建筑，汽車(chē)和航空工業(yè)。
• 冶金過(guò)程的物相分析。
• FIB-SEM斷層掃描：3D EDX和3D EBSD應(yīng)用于線材工業(yè)的質(zhì)量測(cè)試；3D BSE應(yīng)用于材料不同相的特征分析；3D分析多孔粒狀材料。
• 與TOF-SIMS聯(lián)合：高分辨率微量分析和以最小損傷樣品來(lái)進(jìn)行薄層和涂層的表面特征分；同位素鑒定以及在核研究中類(lèi)似標(biāo)定質(zhì)量的樣品。
• 控制離子注入和材料摻雜。
• 制造未經(jīng)鎵污染的結(jié)構(gòu)，例如等離子體天線

全球支持

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• TESCAN-UK, Ltd.
• TESCAN ORSAY FRANCE S.A.R.L.
• TESCAN BENELUX

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