XEIA3 Model 2016 Triglav^TM——新開發(fā)的配備TriglavTM物鏡及先進探測系統(tǒng)的高分辨掃描電子顯微鏡
非凡的超高分辨率成像能力和優(yōu)異的微細加工功能

XEIA3 model 2016 是一款獨特的能實現(xiàn)綜合性能的一體化FIB-SEM。它具備了各種強大的應(yīng)用功能，如快捷的微納米FIB加工，超高分辨率可靠分析或復雜的3D重構(gòu)分析等。
TESCAN 不僅提供XEIA3 model 2016這類最新型的儀器設(shè)備，也同時致力于推動科學研究的前沿發(fā)展。TESCAN的定制系統(tǒng)能滿足各類客戶的具體需求，從材料科學到生命科學，從材料工程到半導體行業(yè)，TESCAN的設(shè)備一直都表現(xiàn)出高性能的特點。

主要特點
Triglav^TM——新開發(fā)的配備TriglavTM物鏡及先進探測系統(tǒng)的高分辨掃描電子顯微鏡

• 獨特的無交叉模式及超高分辨率物鏡的組合，以獲得良好的成像模式
• 先進可變的探測系統(tǒng)能同時獲得各種信號
• 超高納米分辨率：0.7nm@15keV
• 極限分辨率：1nm@1keV
• 角度選擇BSE探測器能在低束能下獲得最優(yōu)的形貌及元素襯度
• 實時電子束追蹤技術(shù)TM能優(yōu)化電子束性能
• 傳統(tǒng)的TESCAN大視野光學器件™設(shè)計提供各種工作和顯示模式
• EquiPower™提供了優(yōu)秀的電子束穩(wěn)定性
• 新的肖特基場發(fā)射電子槍能使電子束流達到400nA以及實現(xiàn)電子束能量的快速改變
• 最新的探測技術(shù)可應(yīng)用于先進的失效分析過程中
• 易損生物樣品的成像
• 磁性樣品的成像
• 優(yōu)化的幾何鏡筒分布能夠獲得8’’晶圓分析手段（SEM探測，F(xiàn)IB微加工）
• 3D電子束技術(shù)獨特的立體成像
• 友好的用戶界面，成熟的軟件模塊和自動化程序

Xe等離子體FIB主要特點

• 強有力的Xe等離子源聚焦離子束FIB系統(tǒng)，能夠在短時間內(nèi)完成挑戰(zhàn)性的大規(guī)模切割任務(wù)
• 通用的離子束電流范圍
• 橫截面TSVs，BGAs和MEMS應(yīng)用的大電流
• 大面積表面拋光，大體積FIB層析成像下的中等電流
• TEM薄片拋光，切片下的小電流
• 微細加工，離子成像，薄膜拋光下的極小電流
• 無任何輔助增加氣體的大質(zhì)量Xe離子，具有超高濺射率
• 大規(guī)模三維重構(gòu)分析
• 比起Ga 離子源的FIB，高加速電壓下的離子注入明顯減少
• 在FIB切割時無金屬間化合物形成
• 理想的生物樣品3D超細結(jié)構(gòu)研究手段，如組織及所有細胞的FIB-SEM研究。

應(yīng)用

半導體和微電子領(lǐng)域

XEIA3 model 2016是理想的FIB-SEM系統(tǒng)，能夠滿足低束能下極限分辨率及大規(guī)模FIB-SEM分析的需求。XEIA3能夠?qū)κ舾胁牧线M行成像，如光致抗蝕劑和最新的技術(shù)模式下超薄的晶體層。XEIA3 model 2016可以用于進行包裝技術(shù)如TSVs，BGAs及電鍵的失效分析，這種情況下需要進行材料大體積切割，而XEIA3能夠輕易達到任何維度的幾百納米的量級。

• 先進封裝技術(shù)的失效分析：TSV分析：應(yīng)力水平下的截面分析及結(jié)構(gòu)與晶粒分布，裂紋、分層和孔洞的檢查；BGA；電鍵；
• 集成電路的失效分析包括：二維的自上而下的氣體輔助片層；TEM薄片制備；截面切片
• 通過非導電材料或絕緣材料沉積進行電路編輯和FIB加工
• MEMS失效分析——微機電系統(tǒng)
• Cu柱，TSVs，電線，ICs的結(jié)構(gòu)分析FIB-SEM層析成像
• 原位TEM薄片成像：STEM分析及TKD-EBSD
• 大晶片觀察及微加工
• 精細的光致抗蝕劑成像
• EBIC故障隔離測試
• 電池領(lǐng)域的TOF-SIMS分析

材料科學

XEIA3 model 2016為非導電材料成像提供了一種具體的解決方式，具體適用于陶瓷，高分子聚合物以及各類光束敏感型試樣。Xe等離子體FIB為材料科學的研究和發(fā)展提供了極大的便利，尤其是需要用一種可控及高空間分辨率下定點切割大規(guī)模材料。等離子FIB可以快速加工并且進行無研磨損傷，無脫層沉積，晶粒改變或者其他切片技術(shù)，避免像切片機或機械拋光時所造成的其他缺陷。在微觀分析方面，Xe是惰性的非導電活性氣體，不會形成金屬間化合物。 而Ga則會與樣品表面產(chǎn)生反應(yīng)，這可能會改變試樣原始物理性質(zhì)（電，磁），或者干擾元素分析。

• 利用極限分辨率層析成像進行樣品研究，可以提高聚焦深度。
• 磁性樣品成像。
• 大型橫切片。
• 疲勞及裂紋形成分析。涉及冶金，建筑，汽車和航空工業(yè)。
• 冶金過程的物相分析。
• FIB-SEM斷層掃描：3D EDX和3D EBSD應(yīng)用于線材工業(yè)的質(zhì)量測試；3D BSE應(yīng)用于材料不同相的特征分析；3D分析多孔粒狀材料。
• 與TOF-SIMS聯(lián)合：高分辨率微量分析和以最小損傷樣品來進行薄層和涂層的表面特征分；同位素鑒定以及在核研究中類似標定質(zhì)量的樣品。
• 控制離子注入和材料摻雜。
• 制造未經(jīng)鎵污染的結(jié)構(gòu)，例如等離子體天線

全球支持

• TESCAN CHINA, Ltd.
• Tescan USA, Inc.
• TESCAN-UK, Ltd.
• TESCAN ORSAY FRANCE S.A.R.L.
• TESCAN BENELUX

TESCAN有遍布全球的銷售和服務(wù)網(wǎng)，銷售團隊和訓練有素的維修工程師保證客戶得到特快服務(wù)支持和產(chǎn)品詳情。