系統(tǒng)簡(jiǎn)介

魯汶儀器生產(chǎn)的LCCP-6A型全自動(dòng)RIE刻蝕機(jī)是一臺(tái)實(shí)驗(yàn)室常備通用刻蝕機(jī)。

可通F基氣體刻蝕Si、SiO₂、SiN、Poly-Si、Ge、W、Mo、Ta、石英等。還可通氧氣去除光刻膠和刻蝕有機(jī)膜。

刻蝕工藝全自動(dòng)，軟件中包括刻蝕材料的推薦工藝菜單，操作簡(jiǎn)單，重復(fù)性好，經(jīng)久耐用。

刻蝕線寬最小可達(dá)200nm。

刻蝕速率隨材料的不同而異，一般為100~500nm/min。

機(jī)器性能

1、刻蝕速率：100~500nm/min（由被刻蝕材料而定）。

2、刻蝕均勻性：≤±5%(6"片)。

標(biāo)準(zhǔn)機(jī)型主要配置

1、陽(yáng)極氧化鋁腔室；

2、分子泵、機(jī)械泵高真空機(jī)組；

3、射頻電源帶自動(dòng)匹配器；

4、數(shù)字真空計(jì)和壓力開(kāi)關(guān)；

5、氣路系統(tǒng)、數(shù)字流量計(jì)標(biāo)配5套，可定制增減；

6、調(diào)壓閥、高閥、低閥；

7、帶觸摸屏集成工控計(jì)算機(jī)，有嚴(yán)格的檢漏、互鎖、報(bào)警等安全措施；

8、具有He背冷和水冷系統(tǒng)，可冷卻待加工基片。

案例分析

1. SiO₂均勻性（圖1）

l 工藝條件：樣品尺寸 6英寸，CF₄等刻蝕氣體

l 刻蝕時(shí)間35秒、70秒、120秒，通過(guò)薄膜納米孔徑分析儀和臺(tái)階儀分析均勻性分別為±2.4%、±2.6%和±1.7%。該參數(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品（業(yè)內(nèi)通常為±5%）。

2. Si₃N₄均勻性（圖2）

l 工藝條件：樣品尺寸 4英寸，CF₄等刻蝕氣體

l 刻蝕時(shí)間40秒、70秒、140秒、280秒，通過(guò)薄膜納米孔徑分析儀和臺(tái)階儀分析均勻性分別為±2.1%、±2.3%和±1.3%和±2.0%。該參數(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品（業(yè)內(nèi)通常為±5%）。

3. 4寸Si均勻性（圖3）

l 工藝條件：CF₄等刻蝕氣體

l 硅片測(cè)試時(shí)間為500秒和625秒，測(cè)試均勻性分別為±2.85%和±1.12%。該參數(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品（業(yè)內(nèi)通常為±5%）。

4. 6寸Si均勻性（圖4）

l 工藝條件：CF₄等刻蝕氣體

l 硅片測(cè)試時(shí)間為300秒，測(cè)試均勻性分別為±2.99%。該參數(shù)優(yōu)于市場(chǎng)上大部分產(chǎn)品（業(yè)內(nèi)通常為±5%）。

1. SiN刻蝕陡直度（圖5、圖6）

l 工藝條件：CHF₃和CF₄等刻蝕氣體

l 刻蝕線條非常陡直。

2. SiO₂刻蝕陡直度 (圖7、 圖8)

l 工藝條件：CHF₃和CF₄等刻蝕氣體

l 刻蝕線條非常陡直。

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