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    等離子刻蝕機(jī)

    庫(kù)       存：

    10

    產(chǎn)       地：

    全國(guó)

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
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     應(yīng)用領(lǐng)域：

    1）該設(shè)備是一個(gè)靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕工藝設(shè)備

    2）采用真空進(jìn)樣室進(jìn)樣可進(jìn)行快速的晶片更換，采用多種工藝氣體組合，并擴(kuò)大了允許的工藝溫度范圍

    3）具有最大的工藝靈活性，適用于集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、光電子、微電子和微流體技術(shù)

    應(yīng)用工藝：

    1）低溫硅刻蝕，深硅刻蝕和SOI工藝，應(yīng)用于MEMS ，微流體技術(shù)和光子技術(shù)

    2）用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝，通過(guò)刻蝕孔、光子晶體和許多其他應(yīng)用，材料范圍廣泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）

     3）GaN、AlGaN等的預(yù)生產(chǎn)和研發(fā)工藝，比如HBLED和其它功率器件的刻蝕

    4）金屬（Nb, W）刻蝕

    主要特點(diǎn)：

    1）可處理8 "晶片，也具有小批量（ 2"/4"多片）生產(chǎn)能力

    2）采用一系列的電極進(jìn)行襯底溫度控制，其溫度范圍為-20 ° C至50° C

    3）用于終端檢測(cè)的激光干涉儀器可安裝在設(shè)備上以加強(qiáng)刻蝕控制（可選）

    4）6 至12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性，并可以放置在遠(yuǎn)端，遠(yuǎn)離主要工藝設(shè)備

    5）氣體通過(guò)頂電極上的噴淋頭式進(jìn)氣口進(jìn)入反應(yīng)室

    6）工作壓強(qiáng)0.1-1.0torr

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