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當(dāng)前位置: 首頁 » 設(shè)備館 » 半導(dǎo)體加工設(shè)備 » 長(zhǎng)晶設(shè)備 » 單晶爐 »VGF/VB單晶生長(zhǎng)設(shè)備
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    包郵 關(guān)注:542

    VGF/VB單晶生長(zhǎng)設(shè)備

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-長(zhǎng)晶設(shè)備-單晶爐

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付
     應(yīng)用領(lǐng)域：

    主要應(yīng)用于砷化鎵、鍺等材料的單晶生長(zhǎng)

    產(chǎn)品特點(diǎn)：

    1）適合熔點(diǎn)在1250度以下的單質(zhì)或化合物晶體的生長(zhǎng)

    2）核心部件采用軍工級(jí)的產(chǎn)品，設(shè)備性能高

    3）采用專用的串級(jí)溫度控制器，很好的解決了溫區(qū)之間的耦合問題，溫度控制精度與穩(wěn)定性能優(yōu)于現(xiàn)有的工控機(jī)與儀表相結(jié)合的控制方式

    4）具有斷電報(bào)警、超溫/欠溫報(bào)警、極限超溫報(bào)警等多種安全保護(hù)功能

    主要技術(shù)指標(biāo)：

    1）爐體結(jié)構(gòu)：立式

    2）適用尺寸：2—6英寸（可定制）

    3）加熱區(qū)數(shù)：一般為6段控溫（可定制）

    4）控制方式：微控

    5）極限使用溫度：1280℃

    6）溫度顯示精度：0.1℃

    7）溫度控制精度：優(yōu)于±0.2℃

    8）移動(dòng)速度范圍：1mm/hour~99.99mm/min

    9）旋轉(zhuǎn)速度范圍：0.01r/min~99.99r/min

    10）連續(xù)工作時(shí)間：＞720小時(shí)

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