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FIB聚焦離子束切割線路修改切點(diǎn)觀測(cè)

發(fā)表于：2017-11-03  作者：ceshi  關(guān)注度：282


聚焦離子束（FIB）
 
u主要用途
芯片的電路修補(bǔ)、斷面切割、透射電鏡樣品制備。
u
性能參數(shù)
a)著陸電壓范圍 - 電子束：350V~30kV
                - 離子束：500V~30kV
b)最小分辨率 - 電子束：0.8nm/30kV
              - 離子束：2.5nm/30kV
c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的離子束成像、磨削和沉積
u
應(yīng)用范圍
1.定點(diǎn)切割
2.穿透式電子顯微鏡試片
3.IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證
4.制程上異常觀察分析
5.晶相特性觀察分析
6.故障位置定位用被動(dòng)電壓反差分析
 

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