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中微的8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設(shè)備Primo TSV200E™結(jié)構(gòu)緊湊且具有極高的生產(chǎn)率，可應(yīng)用于8英寸晶圓微電子器件、微機(jī)電系統(tǒng)、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo D-RIE™ 和Primo AD-RIE™之后，中微TSV刻蝕設(shè)備的單位投資產(chǎn)出率比市場上其他同類設(shè)備提高了30%。

CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管、微機(jī)電系統(tǒng)以及其他許多裝置都離不開微小的系統(tǒng)級芯片（SoC），而3D IC技術(shù)則是實現(xiàn)系統(tǒng)級芯片的必要條件。隨著半導(dǎo)體關(guān)鍵尺寸日益縮小，采用新的堆疊處理方法勢在必行。先進(jìn)芯片變得日益復(fù)雜，就要求必須在能耗和性能之間尋求平衡。通過芯片的堆疊，連接線比傳統(tǒng)的鍵合線更短，這就提高了封裝密度，加快了數(shù)據(jù)傳輸和處理速度，并降低了能耗，所有這些在更小的單元中就可以實現(xiàn)。

Primo TSV200E的核心在于它擁有雙反應(yīng)臺的反應(yīng)器，既可以單獨(dú)加工單個晶圓片，又可以同時加工兩個晶圓片。中微的這一TSV刻蝕設(shè)備可安裝多達(dá)三個雙反應(yīng)臺的反應(yīng)器。與同類競爭產(chǎn)品僅有單個反應(yīng)臺的設(shè)備相比，中微TSV刻蝕設(shè)備的這一特點(diǎn)使晶圓片產(chǎn)出量近乎翻了一番，同時又降低了加工成本。此外，該設(shè)備具有的去耦合高密度等離子體源和偏置電壓使它在低壓狀態(tài)下提高了刻蝕速率，并能夠在整個工藝窗口中實現(xiàn)更高的靈活度。中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的氣體分布系統(tǒng)設(shè)計也提高了刻蝕速率和刻蝕的均勻性，并在整個加工過程中優(yōu)化了工藝性能，射頻脈沖偏置則有效減少了輪廓凹槽。

8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設(shè)備Primo TSV200E?

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