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    第二代電介質(zhì)刻蝕設(shè)備 Primo AD-RIE

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-刻蝕設(shè)備

    產(chǎn)品品牌

    中微

    庫       存：

    10000

    產(chǎn)       地：

    中國-上海市

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌：中微

    型號(hào)：

    所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-刻蝕設(shè)備

     

    Primo AD-RIE™是中微公司用于流程前端（FEOL）及后端（BEOL）關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用的第二代電介質(zhì)刻蝕設(shè)備，主要用于22納米及以下的芯片刻蝕加工。基于前一代產(chǎn)品Primo D-RIE刻蝕設(shè)備已被業(yè)界認(rèn)可的性能和良好的運(yùn)行記錄，Primo AD-RIE做了進(jìn)一步的改進(jìn)：采用了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的可切換低頻的射頻設(shè)計(jì)，優(yōu)化了上電極氣流分布及下電極溫度調(diào)控的設(shè)計(jì)。

    Primo AD-RIE已經(jīng)成功通過了3000片晶片馬拉松測試。除已證實(shí)其具備更優(yōu)越的重復(fù)性及穩(wěn)定性以外，該產(chǎn)品還可將晶片上關(guān)鍵尺寸均勻度控制在2納米內(nèi)。

    系統(tǒng)特點(diǎn)及技術(shù)優(yōu)勢

    2-13.5兆赫茲可切換射頻發(fā)生器在多膜層結(jié)構(gòu)的刻蝕能改善工藝水平

    獨(dú)特的射頻輸入和對(duì)稱分布改善等離子密度的均勻分布

    三區(qū)氣體分布為刻蝕速度的均勻度提高有效的可調(diào)性

    靜電吸盤雙區(qū)冷卻裝置提高晶片溫度可調(diào)性，極大改善晶圓片刻蝕均勻度

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    yesi  2023-05-12

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