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    脈沖激光分子束外延 (Pulsed Laser MBE) 高德

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-其他

    產(chǎn)品品牌

    高德

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    中國-北京市

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
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    品牌：高德

    型號：

    所屬系列：半導(dǎo)體加工設(shè)備-鍍膜設(shè)備-其他

    脈沖激光分子束外延 (Pulsed Laser MBE)

     

    工作原理：

    高功率脈沖激光束聚焦在腔體并轟擊用來沉積的靶材。吸收了高能量的激光，靶材會被激發(fā)，蒸發(fā)，濺射和形成等離子體。最后在存底上沉積成薄膜。這個過程可在超高真空或存在背景氣體下（常用氧氣）發(fā)生。

     

     

    特點：

    • 超高真空環(huán)境（
    • 6個可旋轉(zhuǎn) 的PLD靶
    • 高功率準(zhǔn)分子激光
    • 全計算機控制與數(shù)據(jù)記錄
    • 多個沉積源
    • 先進的原位樣品溫度和膜厚監(jiān)控
    • 定制的組合泵

     

     

    應(yīng)用范圍：

    • 氧化物半導(dǎo)體
    • 高Tc超導(dǎo)體
    • 光學(xué)晶體
    • 電光薄膜
    • 鐵電和鐵磁材料

     

     

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