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4006988696
化合物半導(dǎo)體(GaAs/InP)背面減薄工藝設(shè)備
應(yīng)用領(lǐng)域:GaAs,InP
設(shè)備特點(diǎn):
上蠟后將陶瓷盤放入壓片機(jī)真空腔內(nèi)進(jìn)行壓片,并將Wafer不陶瓷盤間隙內(nèi)空氣排空
真空腔內(nèi)設(shè)有硅膠墊,上片均勻性非常理想
配合冷水機(jī)使用,縮短上片時(shí)間
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