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    6英寸MOS碳化硅襯底

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-碳化硅

    產(chǎn)品品牌

    江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司

    發(fā)貨期限：

    3-5周天

    庫(kù)       存：

    999

    產(chǎn)       地：

    中國(guó)-江蘇省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
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    品牌：江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司

    型號(hào)：

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-碳化硅

     碳化硅襯底是由碳和硅兩種元素組成的化合物半導(dǎo)體單晶材料，
    可有效突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限，開(kāi)發(fā)出更適應(yīng)高壓、高溫、高功率、高頻等條件的半導(dǎo)體器件。
    第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）相比于前兩代半導(dǎo)體材料，具備大禁帶寬度、大漂移速率、大熱導(dǎo)率、大
    擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，從而能夠開(kāi)發(fā)出更適應(yīng)高功率、高頻、高溫、高電壓等惡劣條件的功率半導(dǎo)體器件。
    整體來(lái)看，碳化硅的耐高壓能力是硅的 10 倍、耐高溫能力是硅的 2 倍、高頻能力是硅的 2 倍。
    與硅基模塊相比，碳化硅二極管及開(kāi)關(guān)管組成的模塊（全碳模塊），不僅具有碳化硅材料本征特性優(yōu)勢(shì)，在應(yīng)用
    時(shí)還可以縮小模塊體積 50%以上、消減電子轉(zhuǎn)換損耗 80%以上，從而降低綜合成本。

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