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    包郵 關(guān)注:591

    碳化硅(SiC)晶體基片 合肥科晶

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-碳化硅

    產(chǎn)品品牌

    合肥科晶

    庫(kù)       存：

    1000

    產(chǎn)       地：

    中國(guó)-安徽省

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價(jià)       格：

    面議
    交易保障 擔(dān)保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌：合肥科晶

    型號(hào)：

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-碳化硅

    碳化硅(SiC)晶體基片 合肥科晶

    產(chǎn)品名稱：

    碳化硅(SiC)晶體基片

    技術(shù)參數(shù)：

    晶胞結(jié)構(gòu)

     六方

    晶格常數(shù)

     a =3.08 Å      c = 15.08 Å

    排列次序

     ABCACB  (6H)

    生長(zhǎng)方法

     MOCVD

    方向

     生長(zhǎng)軸或偏(0001) 3.5°

    拋光

     Si面拋光

    帶隙

     2.93 eV (間接)

    導(dǎo)電類型

     N

    電阻率

     0.076 ohm-cm

    介電常數(shù)

     e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

    熱導(dǎo)率@300K

     5 W / cm . K

    硬度

     9.2 Mohs

     

    產(chǎn)品規(guī)格：

    摻雜類型：6H N型 <0001> 表示專門摻N的，摻雜濃度是10E18-10E19；4H N型；半絕緣；
    常規(guī)尺寸：dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm， 10x10mm,10x5mm；

    拋光情況：單拋或雙拋；

    表面粗糙度：Ra<10A

    常規(guī)晶向 ：<0001>現(xiàn)可供應(yīng)<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，單拋 一種低電阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一種是高電阻率（>10^5 ohm.cm)

     

    標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋包裝或單片盒、插盒裝


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    4001027270

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