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硫化鎢硒(WSSe)晶體

經(jīng)過4年的長時(shí)間優(yōu)化，我們?yōu)槟峁┎煌煞址秶鷥?nèi)最高品質(zhì)和完美化學(xué)計(jì)量比的WS2xSe2（1-x）材料。大單晶無缺陷的硫化鎢硒[WS2xSe2（1-X）; x = 0.1,0.3,0.5,0.7,0.9]晶體是半導(dǎo)體級(jí)（99.9995％或更高）層狀材料，不必?fù)?dān)心非晶相，缺陷或污染。它們呈現(xiàn)完美層狀結(jié)構(gòu)，是剝離具有高的大單層產(chǎn)率的理想選擇。我們提供詳細(xì)的技術(shù)援助，以獲得100％單層生產(chǎn)率。

SbAsS?晶體

我們的最新材料：Sb2xAs2（1-x）S3具有由Sb-Sb-S3原子組成的完美的1：1：3化學(xué)計(jì)量比。經(jīng)過一年的34次生長試驗(yàn)，具備單晶尺寸大，最小的缺陷密度（10萬個(gè)單胞中的1個(gè)）和完善的純度（99.9998％）。硫化銻硫化物（SbAsS3）是帶隙約1.7e的直接帶隙半導(dǎo)體材料。與二硫化鉬類似，它具有弱層間耦合作用的層狀結(jié)構(gòu)，可剝離成單層。單層厚度為0.8nm，單層SbAsS3在實(shí)驗(yàn)和理論上未被發(fā)現(xiàn)。晶體尺寸范圍在5-8mm，顯示出卓越的PL特性。

晶體生長周期為8周，顯示出高結(jié)晶度。拉曼光譜顯示半峰高寬FWHM小于6cm^-1

請(qǐng)?jiān)谟嗁彆r(shí)指定您的x值

空間群：P21 / c

分層：是/剝離到單層

帶隙：?1.7 eV

純度：半導(dǎo)體級(jí)（6N）99.9999％

生長技術(shù)：物理氣相傳輸 - 持續(xù)時(shí)間：2個(gè)月

樣品尺寸：5-10mm

ReNbSe?晶體

鈮原子完全嵌入ReSe2主體中。合金不相分離，意味著Nb和Re原子隨機(jī)分布在整個(gè)晶體中。鈮的組成從0.1％到3％的不等。請(qǐng)?jiān)谟嗁彆r(shí)指定Nb的百分比。

二硫化鎢鉬（MoWS?）晶體

我們已經(jīng)研發(fā)出大的無缺陷單晶二硫化鎢鉬（MoxW（1-x）S2）晶體，它們具有x = 0.1,0.3,0.5,0.7和0.9的化學(xué)計(jì)量比。由于它們是半導(dǎo)體級(jí)（99.9995％的純度和完美的化學(xué)計(jì)量比），無需擔(dān)心非晶相，缺陷或污染。晶體尺寸大，可剝離成大單層，單層產(chǎn)率高。

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