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電光晶體簡介

當(dāng)我們向電光晶體施加電場時，晶體的折射率會隨著電壓線性的變化，這種現(xiàn)象被稱為線性電光效應(yīng)。當(dāng)線偏振光通過電光晶體后，產(chǎn)生的相位延遲和電壓和晶體的長度有關(guān)系，因此我們可以通過改變電壓來實現(xiàn)相位延遲的改變，這就稱為相位電光調(diào)制。

當(dāng)我們在電光晶體兩邊加上兩塊正交的偏振器后，就可以通過改變電壓來改變出射光的強(qiáng)度，這種就稱為強(qiáng)度調(diào)制。

從電場所加方向來分，電光調(diào)制可以分為兩種，一種為縱向調(diào)制，一種為橫向調(diào)制。當(dāng)電場方向和通光方向相同時稱為縱向調(diào)制；當(dāng)電場方向和通光方向垂直時稱為橫向調(diào)制。KDP屬于縱向調(diào)制，BBO，KTP，LiNbO3都屬于橫向調(diào)制。

BBO有著非常好的電光特性，適用于從200nm到2500nm波長范圍。BBO的損傷閾值高，最高可以到150W左右。而且其介電常數(shù)低，非常適合用于高平均功率，高重復(fù)頻率的固體激光器中。

鈮酸鋰(LiNbO3)由于具有非常大的電光系數(shù)、聲光系數(shù)和高損傷閾值等特性，被廣泛應(yīng)用于光電調(diào)制Q開關(guān)等電光設(shè)備中。鈮酸鋰的電光調(diào)制屬于橫向調(diào)制，光沿著Z軸方向傳播，電極鍍在X面上在X方向上產(chǎn)生電場。同時優(yōu)光科技可以為您提供更高損傷閾值的鉭酸鋰晶體。

KTP相對于LiNbO3及其他晶體，有著更優(yōu)越的電光和電介質(zhì)特性，使其特別適合于各種的電光設(shè)備。KTP損傷閾值高，在高功率下的光學(xué)吸收小，溫度性能好，機(jī)械強(qiáng)度高，因此KTP晶體可以取代鈮酸鋰晶體做電光調(diào)制，尤其適用于鎖模二極管崩浦Nd:YAG、Nd:YLF和鈦寶石激光器。

下面表格中列出了KTP和其他電光調(diào)制晶體材料的特性比較。

晶體			相位			振幅
	e	n	r (pm/V)	k (10^-6/°C)	n⁷r²/e(pm/V)²	r (pm/V)	k (10^-6/°C)	n⁷r²/e(pm/V)²
KTP	15.4	1.80	35.0	31	6130	27.0	11.7	3650
LiNbO₃	27.9	2.20	31.0	82	7410	20.1	42	3500
KD*P	48.0	1.47	26.4	9	178	24.0	8	178

KD*P也廣泛用于電光調(diào)制Q開關(guān)。

晶體	KDP	KD*P	ADP
電光系數(shù)(pm/V)	G63=10.5	G63=26.4	G41(T)=24.5
縱向半波電壓Vp(546nm)	7.65kV	2.98kV	9kV

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