Ca(OH)2晶體
使用水熱合成技術(shù)獲得Ca(OH)2晶體。
產(chǎn)品概要:
l 空間群:P-3m1
l 分層:是/可剝離到單層
l 帶隙:?4.0 eV
l 純度:半導(dǎo)體級(jí)(5.5N)99.9995%
l 生長(zhǎng)技術(shù):氣相傳輸 - 持續(xù)時(shí)間:2個(gè)月
l 樣品尺寸:?5 mm
Mg(OH)? 晶體
使用水熱合成技術(shù)獲得Mg(OH)? 晶體。
產(chǎn)品概要:
l 空間群:P-3m1
l 分層:是/可剝離到單層
l 帶隙:?4.0 eV
l 純度:半導(dǎo)體級(jí)(6N)99.9999%
l 生長(zhǎng)技術(shù):在45 MPa壓力下利用水熱合成技術(shù)歷經(jīng)1.5個(gè)月而成
l 樣品尺寸:?10 mm
h-BN粉末
經(jīng)濟(jì)的剝離解決方案是h-BN。 h-BN粉末(見圖),可使用多次(+10000次)并剝離到任意襯底上。其含有的小微晶用于常規(guī)剝離以及液相剝離。
hBN薄片具有2000-10000個(gè)缺陷/單胞,拉曼光譜顯示半峰高寬(FWHM)大于6-7cm
-1,與文獻(xiàn)中公布的數(shù)據(jù)相當(dāng)吻合。
h-BN晶體
h-BN晶體尺寸可達(dá)到2mm,在二維材料領(lǐng)域視為黃金標(biāo)準(zhǔn)。無(wú)缺陷的h-BN薄片至今唯一可商業(yè)化的半絕緣二維材料,可用于制作高性能二維電子和光子器件的絕緣層材料
六方氮化硼(h-BN)單晶是理想二維襯底材料。其拉曼光譜顯示在1566cm -1處的半峰高寬(FWHM)小于5cm -1,顯示出其高度結(jié)晶性。帶隙為5.2 eV,被認(rèn)為是寬帶隙半導(dǎo)體/絕緣體。具有化學(xué)惰性,原子平面。
應(yīng)用:
l 電子產(chǎn)品
l 傳感器 - 探測(cè)器
l STM - AFM應(yīng)用
l 超低摩擦研究(摩擦學(xué))
l 材料科學(xué)與半導(dǎo)體研究
云母片
MICA Ca
產(chǎn)品描述
化學(xué)式已經(jīng)調(diào)整的層狀云母族的成員,材料含有豐富的K,Mg和Fe,賦予其理想的電導(dǎo)率和帶電表面(化學(xué)式確認(rèn)為Al 2 Ca(AlSi)2O10(OH)2)。 該產(chǎn)品可用水熱合成法在1個(gè)月內(nèi)合成。 完全按c晶格方向剝離。產(chǎn)品純度為99.9998%,基于吸收測(cè)量,子帶邊緣出現(xiàn)在4.8 eV。晶體對(duì)稱性為C 2 / m,Cm(單斜晶)的層狀材料。晶體尺寸為1cm以上,可保存多年。
MICA Ca/Mg
產(chǎn)品描述
化學(xué)式已經(jīng)調(diào)整的層狀云母族的成員,材料含有豐富的Ca,Mg,賦予其理想的電導(dǎo)率和帶電表面(化學(xué)式確認(rèn)為Ca(Al,Mg)3(SiAl3)O10(OH)2)。 該產(chǎn)品可用用水熱合成法在1個(gè)月內(nèi)合成。 沿c晶格方向排列為層狀結(jié)構(gòu),易剝離。產(chǎn)品純度為99.9998%,基于吸收測(cè)量,子帶邊緣出現(xiàn)在3.5 eV。晶體對(duì)稱性為C 2 / m,Cm(單斜晶)的層狀材料。晶體尺寸為1cm以上,可保存多年。
MICA K/Li
產(chǎn)品描述
化學(xué)式已經(jīng)調(diào)整的層狀云母族的成員,材料含有豐富的K和Li,賦予了其理想的電導(dǎo)率和帶電表面(化學(xué)式確認(rèn)為K(LiAlRb)3的(Al,Si)的4 O 10(F,OH))。 該產(chǎn)品用水熱合成法在1個(gè)月內(nèi)合成。產(chǎn)品純度為99.9998%,基于吸收測(cè)量,帶邊緣出現(xiàn)在4.1 eV。晶體對(duì)稱性為C 2 / m,Cm(單斜晶)的層狀材料,易剝離。晶體尺寸1cm以上,可保存多年。
MICA K/Mg/Fe
產(chǎn)品描述
化學(xué)式已經(jīng)調(diào)整的層狀云母族的成員,材料含有豐富的K,Mg和Fe,賦予了其理想的電導(dǎo)率和帶電表面(化學(xué)式確認(rèn)為K(FeMg)3Si3AlO10(OH)2)。 該產(chǎn)品用水熱合成法在1個(gè)月的合成。產(chǎn)品純度為99.9998%,基于吸收測(cè)量,帶邊緣出現(xiàn)在4.2 eV。晶體對(duì)稱性為C 2 / m,Cm(單斜晶)的層狀材料,易剝離。晶體尺寸為1cm以上,可保存多年。