深硅刻蝕代工
發(fā)表于：2020-04-27 作者：ioptee01 關(guān)注度：589
聯(lián)系方式：18951907529
北方華創(chuàng) HSE200 型深硅刻蝕機
1、設(shè)備描述： ICP-RIE 刻蝕系統(tǒng)，具有穩(wěn)定可靠的工藝性能、寬闊的工藝窗口和良好的工藝兼容性，主要用于 150mm 晶片（可兼容直徑 150mm 晶片或以下尺寸樣品）
的高深寬比各向異性刻蝕;快速切 換工藝氣體；采用 BOSCH 工藝，背氦冷卻，專用于深硅刻蝕。
2、技術(shù)指標(biāo)：
（1）4 路工藝氣體：C4F8、SF6、O2和 Ar；
（2）ICP 主射頻功率：50-3000W；副射頻功率 50-1500W；Bias 源功率： 15-600W；匹配穩(wěn)定時間＜1s；
（3）下電極溫度范圍-20～80℃下電極控溫精度±0.5℃；
（4）光刻膠選擇比＞50，氧化硅選擇比＞150。
3、樣品要求：
（1）最大樣品尺寸為 6 英寸；向下兼容；
（2）可使用光刻膠和氧化硅作為刻蝕掩膜；
刻蝕效果圖：
網(wǎng)站首頁
購物車
用戶中心
全部產(chǎn)品分類
.png)
